4 外延生长.pptVIP

内容 外延定义 CMOS电路一般制作在一层很薄的轻掺杂p型外延层上； 减少硅抛光片表面的微缺陷、表面粗糙、表面或靠近表面处的SiOx沉积等； 这样可以避免硅氧化介质层的不完整，减少漏电流，避免闸锁效应。 内容 按反应室形状： 卧式反应室、立式反应室 按生长环境状态： 气相外延/液相外延/固相外延 新发展起来的外延技术： 低压外延——减少自掺杂效应 选择外延——改进器件隔离，多采用SiO2为选择性生长的掩膜 SOS技术——Silicon on Sapphire/Spinel (蓝宝石/尖晶石） 固相外延与液相外延 气相外延 MOCVD/MOVPE MOCVD MOCVD MOCVD MOCVD MOCVD MOCVD MOCVD 内容 内容 硅气相外延 硅外延生长模型 四氯化硅氢气还原法 温度 反应剂浓度 气体流速 衬底取向 硅外延掺杂 扩散效应 自掺杂效应 单晶或多晶硅薄膜生长速率与温度的关系 半导体工艺中，几乎都采用N2作为清洗气体，硅气相外延中为什么用H2清洗反应室？ 温度高于1000℃时，N2会与硅发生反应，生成SiN，影响外延层的质量。 SiCl4具有最高的激活能，作为生长源时所需温度最高； SiHCl3和SiH2Cl2的激活能依次减少，作为生长源时所 需温度也较低； 所有反应都是可逆的，即硅在氯硅烷环境中会被腐蚀； 腐蚀反应一般在低于900℃和高于1400℃时发生，要控制 好外延生长的温度； 影响外延生长速率的主要因素： 温度 反应剂浓度 气体流速 反应腔与衬底取向 1.生长速率随温度升高而增加。 低温区（A区）：生长速率对温度敏感，由表面化学反应控制； 高温区（B区）：生长速率对温度不敏感，由质量输运控制； 2. Cl对硅有一定腐蚀作用，生长速率依赖于所选硅源，随Cl元素含量增加而下降； 3.生长温度应控制在高温区的适当温度； 3.当SiCl4浓度较小，即摩尔分数Y值较小时：生长速率随Y值增大逐渐增大； 4.当Y值增大到0.1时，生长速率达到最大值； 5. Y值增大到0.27时，硅被氯元素腐蚀，超过0.28后，只存在腐蚀反应。 1.生长速率受两个过程控制，其一是氢还原SiCl4析出硅原子的过程，其二是被析出硅原子在衬底上生成单晶层的过程。 2.SiCl4被氢还原析出原子的速度和析出的硅原子有规则地排列在衬底上的速度中较慢的一个决定外延生长的速率。 1.气体流速由小增大时，反应剂的质量输运影响生长速率，气体流速越大，外延层生长速率越快。 2.当气体流量大到一定程度时，外延层生长速率基本不随气体流量增大而加快，此时的生长速率由表面化学反应速度决定。 晶面间的共价键数目越多，键合能力越强，生长速率越快； 硅的（111）晶面的双层原子面间的共价键密度最小，键合能力差，外延层生长速率慢； 硅的（110）（100）晶面间的原子键密度大，键合能力强，外延层生长速率快。 氢化物: n型掺杂：PH3 AsH3 p型掺杂：B2H6 氯化物: n型掺杂：POCl3 AsCl3 p型掺杂： BBr3 杂质的淀积过程和外延层生长过程相似，也存在质量输运和表面化学反应控制两个区域。 杂质的掺入效率依赖于生长温度，生长速率，气流中杂质相对于硅的摩尔数，反应室几何形状和掺杂剂本身的特性。 五族元素如P，As的掺杂效率随温度上升而下降； 三族元素如B的掺杂效率随温度上升而增加； 生长速率低时杂质吸收多，生长速率高时杂质吸收少； 掺杂同样会影响到外延生长速率，PH3可能会降低外延层的生长速度，B2H6可能会提高外延层的生长速度。 同型杂质 异型杂质 衬底中杂质和外延层中杂质,在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近的杂质浓度缓慢变化的现象。 * * 微电子工艺——4 外延生长 外延生长 电控学院电子科学与技术学科 谢红云 Email:xiehongyun@bjut.edul.cn 外延 1 2 3 4 硅的外延 外延片的检测 外延技术 在一定条件下，通过一定方法获得所需原子，并使这些原子有规则地排列在衬底上；在排列时控制有关工艺条件，使排列的结果形成具有一定导电类型、一定电阻率、一定厚度。 晶格完美的新单晶层的生成过程。 在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。 Definition:Epitaxy Greek origin epi: upon taxy: orderly, arranged 新生单晶层按衬底晶相延伸生长，称为外延层。 长了外延层的衬底称为外延片。 正向外延/反向外延 同质外延/异质外延 InP Buffer Lower Waveguide MQW Upper Waveguide InP Protector InP Substr