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一、编写程序所需的步骤 1、解压缩，改目录名称，和eww 文件名，以便跟其他程序区分。 2、更改设置：在“stm32f10x_conf.h”关闭不用的外设（在其声明函数前面加注释符号“//”）。并根据外部晶振速度更改其中“HSE_Value”的数值，其单位是Hz。 3、完成各种头文件的包含（＃i nclude xxx.h;），公共变量的声明（static 数据类型变量名称;），子程序声明（void 函数名称(参数);）……C 语言必须的前置工作。 4、改写我的程序库里面所预设的模板，再进行其他模块的初始化子程序代码的编写，并在程序代码的开始部分调用。注意：必须记住所有外设的使用需要考虑4个问题： a) 开时钟RCC（在RCC 初始化中）； b) 自身初始化； c) 相关管脚配置（在GPIO 初始化中）； d) 是否使用中断（在NVIC 初始化中） 5、编写main.c 中的主要代码和各种子函数。 6、在“stm32f10x_it.c”填写各种中断所需的执行代码，如果用不到中断的简单程序则不用编写此文件。 7、编译生成“bin”的方法：Project\Option\ Linker\Output\Format，里面选择“Other”，在下面的“Output”选“raw-binary”生成bin。 8、编译生成“hex”的方法：Project\Option\ Linker\Output\Format，里面选择“Other”，在下面的“Output”选“intel-extended”，生成a79直接改名成为hex 或者选中上面的“Output Flie”在“Overrride default”项目里面改扩展名为hex。使用软件界面的Debug 烧写并按钮调试程序。注意，ST-Link-II 是直接将程序烧写进Flash 进行调试，而不是使用RAM的方式。 1、一共24个库，不可能都学，都学也没用。按照我的工作需求必须学的有16个，这16个也不是全学。主要学习来源是各种例程代码、“固件函数库用户手册”和“参考手册”。具体学习方法是通读不同来源的程序，在程序中找到相关的函数库的应用，然后再阅读相关文档，有条件的实验。对于内容的选择方面，根据入门内容和未来应用，将所涉及的范围精简到最低，但是对所选择的部分的学习则力求明确。以下是我按照自己的需求对程序库函数排列的学习顺序： a) 绝大部分程序都要涉及到的库——flash，lib，nvic，rcc，只学基础的跟最简单应用相关必用的部分，其他部分后期再返回头学。 b) 各种程序通用但不必用的库——exti，MDA，systic，只通读理解其作用。 c) DEMO 板拥有的外设库——gpio，usart，编写代码实验。 d) 未来需要用到的外设的库——tim，tim1，adc，i2c，spi，先理解等待有条件后实验。 e) 开发可靠性相关库——bkp，iwdg，wwdg，pwr，参考其他例程的做法。 f) 其他，根据兴趣来学。 STM32学前班教程之六：这些代码大家都用得到 2、阅读flash： 芯片内部存储器flash 操作函数 我的理解——对芯片内部flash 进行操作的函数，包括读取，状态，擦除，写入等等，可以允许程序去操作flash 上的数据。 基础应用1，FLASH 时序延迟几个周期，等待总线同步操作。推荐按照单片机系统运行频率，0—24MHz 时，取Latency=0；24—48MHz 时，取Latency=1；48~72MHz 时，取Latency=2。所有程序中必须的 用法：FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2); 位置：RCC 初始化子函数里面，时钟起振之后。 基础应用2，开启FLASH 预读缓冲功能，加速FLASH 的读取。所有程序中必须的 用法：FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable); 位置：RCC 初始化子函数里面，时钟起振之后。 3、阅读lib：调试所有外设初始化的函数。 我的理解——不理解，也不需要理解。只要知道所有外设在调试的时候，EWRAM 需要从这个函数里面获得调试所需信息的地址或者指针之类的信息。 基础应用1，只有一个函数debug。所有程序中必须的。 用法： #ifdef DEBUG debug(); #endif 位置：main 函数开头，声明变量之后。 4、阅读nvic：系统中断管理。 我的理解——管理系统内部的中断，负责打开和关闭中断。 基础应用1，中断的初始化函数，包括设置中断向量表位置，和开启所需的中断两部分。所有程序中必须的。 用法： void NVIC_Configuration(void) { NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStr