[工学]模电教案11.doc

半导体二极管及其应用 §1、1半导体的导电特性 一、什么是半导体 1、自然界的物质若按导电能力划分，可分为导体、半导体和绝缘体三种。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，电阻率通常为10-3～10-9 ((cm。 2、半导体分为：本征半导体和杂质半导体 本征半导体：纯净的单晶半导体称为本征半导体。本征半导体中的载流子(自由电子空穴对) 在常温下数量少、导电能力差。 杂质半导体：在本征半导体中掺入微量有用元素后形成的半导体称为杂质半导体。根据掺入杂质的不同可分为：P型半导体和N型半导体两种。 3、N型半导体：在本征半导体中掺入五价杂质原子，例如掺入磷原子，可形成N型半导体。 P型半导体：在本征半导体中掺入三价杂质原子，如硼、镓等形成了P型半导体。 由上述分析我们得出：杂质半导体内部有两种载流子(自由电子、空穴) 参与导电。当杂质半导体加上电场时，两种载流子产生定向运动共同形成半导体中的电流。主要靠自由电子导电的杂质半导体是N型半导体，主要靠空穴导电的杂质半导体是P型半导体。 二、PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 在同一块本征半导体晶片上，采用特殊的掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元素和五价元素，一侧形成P型半导体，另一侧形成N型半导体，则在这两种半导体交界面的两侧分别留下了不能移动的正负离子，形成一个具有特殊导电性能的空间电荷区，称为PN结。 2、PN结的单向导电性 PN结的导电特性决定了半导体器件的工作特性，是我们研究二极管、三极管等半导体器件的基础。 （1）PN结加正向电压 P区接外加电源正极，N区接负极时称PN结加正向电压(也称正向偏置) ，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，故PN结呈现低阻性。我们称PN结加正向电压时导通。 （2）PN结加反向电压 P区接外加电源负极，N区接正极时称PN结加反向电压(也称反向偏置) ，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散几乎无法进行。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性，加正向电压时导通，加反向电压时截止。 §1、2半导体二极管及其应用 一、二极管的结构类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 1、二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，高频性能好，用于检波和变频等高频电路。 （2）面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (3) 平面型二极管 PN结面积可大可小，性能稳定可靠，常用于高频整流和开关电路以及集成电路制造工艺中。 2、按制造材料分：硅二极管和锗二极管。 3、二极管的逻辑逻辑符号为： 二、二极管的伏安特性曲线 半导体二极管的伏安特性(即电压-电流特性)曲线如图所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。 (一) 正向特性 当正向电压低于某一数值时，正向电流很小，只有当正向电压高于某一值时，二极管才有明显的正向电流，这个电压被称为导通电压，我们又称它为门限电压或死区电压在室温下，硅管的0.6----0.8V，锗管的为0.1--0.3v，我们一般认为当正向电压大于UON时，二极管才导通。否则截止。() 反向特性二极管的反向电压一定时，反向电流很小，而且变化不大（反向饱和电流），但反向电压大于某一数值时，反向电流急剧变大，产生击穿。(一) 主要参数 我们描述器件特性的物理量，称为器件的特性。二极管的特性有： 最大整流电流IF：它是二极管允许通过的最大正向平均电流。 最大反向工作电压UR ：二极管允许的最大工作电压，我们一般取击穿电压的一般作UR 。 反向电流IR? ：二极管未击穿时的电流，它越小，二极管的单向导电性越好。 最高工作频率fM ：它的值取决于PN结结电容的大小，电容越大，频率约高(二) 温度对伏安特性的影响 硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。另外，无论是硅二极管还是锗二极管，温度每升高1℃，正向压降VF大约减小2～2.5 mV，即具有负的温度系数。 四、二极管的命名规则及其参数手册的使用 二极管的型号命名规则 国家标准对二极管型号的命名方法如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号。 用字母代表器件的类型。 用字母代表器件的材料。 2代表二极管。 例如，2AP1是N型锗材料制成