薄膜制程技术简介.pptVIP

* 鍍膜面儘可能朝向單面濺鍍研發，以提高產能與節省成本。 建議減少使用玻璃纖維材料，含玻璃纖維之塑殼常有浮纖現象，於附著力測試時纖維易被撕毀斷裂。 EMI設計簡項 * 塑殼儘量減少過多的突出或深凹區域的設計。 設計必須導通時，請盡可能避免導通線寬過窄。 塑殼凹陷與突出 EMI設計簡項 * 產品管控重點 素材結構的預防 素材的成型條件 生產中作業預防 產品在運輸管控 組裝中注意事項 Paragon (Su Zhou) Technology Limited. * 素材結構的預防 高度 四周應盡可能有倒角 下底部倒角 阻值薄弱位置（所以要求測量阻值點離開治具遮蔽區10MM的距離） 產品的結構在設計時應注意 1 、產品BOSS柱的高度、頂部設導角。 * 素材結構的預防 產品的結構在設計時應注意 高度 四周應盡可能有倒角 下底部倒角 1、產品BOSS柱的高度以及重要BOSS柱盡可能遠離不鍍區、頂部設導角。 2、產品結合線應盡可能被免出現在產品結構（強度）薄落的位置。 素材結構的預防 高度 四周以防在脫模時出現毛邊 側壁注意出現空洞 產品在射出時應注意 * 素材結構的預防 結合線在必要時要避開 結構薄弱的環節如圖所示 如果結合線出現此位置會出現以下兩種情況 1）易出現無規律的變形） 2）另一種（結合不牢產生斷裂現象）。 素材在射出時應該注意的環節 * 素材結構的預防 素材在射出時應該注意的環節 產品外觀面不可有油污、起蒼（特別在公模面，如頂針與滑塊的位置） 造成整體水質被污染不良後果----附著力。 嚴重起蒼在工模面直接會產生附著力不良。如在外觀面影響產品的外觀品質。 * 濺鍍品組裝中注意事項 嚴禁用手指去直接接觸，必須戴手套、口罩，而且控制手套的乾淨與潮濕度，避免汗汁與口水濺在鍍面長時間會出現氧化的現象。（怕雨水） 在測量阻值時一定要檢驗歐姆器是否完好，所得到的資料植一定先要扣除內阻。 在組裝成品時儘量避免鍍面不要與硬體接觸，以免鍍層被破壞。 在搬運與運輸過程中不要摔。以免產品摔壞產生客訴。 * * 真空濺鍍  技術簡介 20010/08/10 Sputtering * 營業項目 防止電磁波干擾材料研究開發 靜電防護處理 3C電子相關產品EMI/ESD物理氣相沉積處理 塑膠表面金屬化研究開發處理 真空設備 * 技術簡介 真空概論 薄膜製程技術 製造流程 EMI設計簡項 產品管控重點 * 真空概論 真空系統＝ 真空腔體＋真空幫浦＋真空計 所謂的真空，美國真空學會定義為一個空間中的氣體壓力明顯的小於周圍的大氣壓力，即此空間相對於大氣具有較少的氣體分子密度。 * 真空度的分類 * 真空之必要性 Pumping Torr 8.8x10-5 Pumping 8.8x10-2 Torr 在真空中化學活性會降低。 氣體分子在物體表面沉積所需的時間延長。 帶電粒子在電磁場中運動碰撞的損失減少。 在真空的環境中一些原本自然界的性質會受到改變，如： * 壓力(Torr) 760 10-6 10-8 10-10 10-12 分子入射率(分子數/cm2) 3.8x1023 3.8x1014 3.8x1012 3.8x1010 3.8x108 分子吸附速率 (ML/時間) 3x10-19秒 3秒 5分鐘 8.5小時 35天 不同壓力下分子運動參數值 粗真空 中真空 高真空 超高真空 壓力範圍 （Torr） 760 - 1 1 – 10 -3 10 –3–10 –7 ≦10 -7 分子數/cm3 (at 20oc) 　 2.5×1019至3.3×1016 3.3×1016 至3.3×1013 　3.3×1013 至3.3×109 ≦3.3×108 平均自由路徑(λ；cm） 5×10 –6至 5×10 –3 5×10 –3至5 5至5×104 5×10 4 不同真空度的區分和相對物理參數 真空參數值 * 薄膜製程技術 一、化學氣相沈積 二、物理氣相沈積 * 薄膜製程分類 一、化學氣相沈積 （CVD；Chemical Vapor Deposition） 所謂化學氣相沉積法是利用膜材料之氣體化合物在高溫經由化學反應生成固態物質沉積在基板形成薄膜。 常壓CVD（APCVD) 低壓CVD（LPCVD) 電漿輔助CVD (PECVD) 雷射加強CVD (LECVD) * 薄膜製程分類 二、物理氣相沈積 （PVD；Physical Vapor Deposition） 在真空中將欲鍍材料加熱蒸發或以高能量離子撞擊，使其蒸氣或脫離束縛的原子通過真空抵達基板表面，沉積於基板上形成