第1编 一般器件 (2012.03).docVIP

（电子器件：2012.03.28.--2012.06.01.） *四类（深广） 第一篇 一般器件 第一章 稳压器件 §1.1 稳压二极管的特性参数 （Zener Diode） 一、结构特性 （为何PN组合不同于RP、RN串联？内建势垒及电导调制） [ UNP＞6V：雪崩击穿为主。UNP＜4V（E＞200kV/cm）：奇纳击穿为主。] （稳压特性：U微增 → I剧增） （∵ W＝∫F·dx ，即U＝∫E·dx，∴ E＝dU/dx，即E≈U/d ，d越小E越强) （∵Q＝CU＝U·εS/d，∴高掺杂→ n↑、Q↑→ d↓，结变薄） 稳压二极管：反向击穿后可逆。（普通二极管：不可逆。） 二、主要参数 稳定电压Uz，工作电流Iz，动态电阻rg，温度系数αT，耗散功率PM等。 (参看书上附表) §1.2 稳压二极管的应用举例 一、稳压电路 UL↑→Iz→UR↑→UL↓ （ 负载电流小：IL max＝ IZ max－ IZ min ） R作用：限制ID（在AB段）、调整电压。应满足如下边界条件： (Ui min－UL)／R ≥ Iz min＋ IL max （即≥A点，在入低出大时） (Ui max－UL)／R ≤ Iz max ＋ IL min （即≤B点，在入高出小时） Ui = UT + UL (a) ▲ (b) （a）UL↑→ Ub几乎不变、Ue↑→ Ube↓→ Ib↓→ Ie↓→ UL↓ （VT作用：放大。既扩大输出、又增强反馈） (负载电流大，比单D电路约大β倍) （b）UL↑→ Ub↓、Ue↑→ Ube → Ib↓→ Ie↓→ UL↓ （加一级差分放大，使反馈更强，稳压精度更高） 二、过压保护 侧重于保护，不同于稳压。（稳压要求持续，保护仅过压时动作。） (a) (b) (a) 过压时：UL↑→ Iz → UR↑→UL↓，即UL趋于稳定。 (b) 过压时：Ui↑ →UL↑→Ib↑→Ic↑→UR1↑→UL↓，即UL几乎不变。 （未过压时，ID≈0，类似于断开） 三、电压限幅 上图：UO = Ui – UD，即输出被截去UZ 。（可用于消除本底噪声） 下图：UO = Ui – IR≈UD，即输出仅保留UZ以下。（可用于削去尖峰电压） （若两管反接，可构成交流限幅电路。） 四、电平移动（或电平转移） 用于放大器级间、不同电路间的电平匹配等。 放大器级间 不同电路间 ▲ 另外，稳压二极管还可用于信号选择、检波电路、退耦电路等。 §1.3 可调基准源TL431及其应用 输出电压可调（VR恒定、VKA可调） 美国TI产品，性能优良，价格低廉。 其中：VKA=2.5～36V，IKA=1～100mA，P≤1W，动态电阻=0.2Ω。 TL431的电路符号 内部等效电路 稳压特性：电压微增、电流激增 （任何器件或电路，有此特性，均可稳压。） 应用举例： 2.5V稳压电路 可调稳压电路 ▲ 精密5V稳压电路（串联） 大电流稳压电路（并联） （分析步骤：1、稳压过程，2、稳压数值） （易知： VR↑→IC→VKA↓，与稳压二极管类似，但输出电压可调） §1.4 三端集成稳压电路 电路* 第二章 恒流器件 （如手机背景） §2.1 恒流二极管的特性参数 （CRD：Current Regulating Diode，used for current stabilization.） 一、结构特性 结构：CRD类于N沟道JFET，UGS=0 。 原理：U↑→ PN反偏、结区变宽，沟道变窄、直至夹断 → I恒定。 （G如腰带：负偏收紧，0及正偏导通。） 恒流二极管的结构恒流二极管及伏安特性可调恒流管可调恒流管的符号、及伏安特性可调恒流管的符号和联接方式 ▲习题一 1、简述图1-5线性稳压电路和由TL431构成的可调输出稳压电路的稳压原理，以及图1-16电路的电平移动原理。 2、推导单管恒流电路中R的取值范围，并简述图2-9(c)电路的恒流原理和图2-10(b)电路的恒流及扩压原理。 第三章 单结晶体管 （UJT：unijunction transistor）J2 §3.1 单结晶体管的特性参数 一、结构特性 结构：一个PN结，三个电极。单结晶体管又称双基二极管。（如图） 结构 等效电路 符号