半导体气体传感器设计开发研究-毕业论文开题报告推荐.docxVIP

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半导体气体传感器设计开发研究-毕业论文开题报告推荐

本科生毕业论文(设计)开题报告学生姓名学号专业指导教师姓名职称论文题目题目的意义随着现代工业的发展,一方面,工业生产中使用及产生的有毒、可燃气体的种类及数量日益增多;另一方面,液化石油气和天然气作为家用燃气被广泛的使用,由此产生的大气污染及生活安全隐患引起人们的广泛关注,此外随着环保意识的提高,人们对气体传感器也提出了更高的要求。气体传感器在民用、工业和环境检测三大主要领域[1]取得了较广泛的应用。气体传感器的种类很多,应用广泛的有电阻式半导体气体传感器、固体电解质气体传感器、接触燃烧式气体传感器、电化学式气体传感器、光学式气体传感器、热导式气体传感器等。各种气体传感器的敏感机理,所用材料及气敏特性各不相同。其中半导体气体传感器由于其灵敏度高、响应时间快,经济可靠等优点,从而得到广泛应用。目前开发用作气敏材料的半导体氧化物主要有SnO2、In2O3、ZnO、WO3等,其中SnO2具有优良的物理化学性能,并且是最先实用生产和研究最为广泛的气敏材料。然而即使是商品化的SnO2传感器,在灵敏度、稳定性和工作温度等方面仍然存在很多不足,而要提高气体传感器的灵敏度,选择性和稳定性就必须对传感器的敏感机理有清楚的认识。然而,由于半导体气体传感器必须在裸露的状态以及高温下工作;气敏材料结构复杂、性质各异;被测气体种类繁多,吸附反应过程较为复杂以及为了改善传感器的某些性能常常加入一些催化剂、粘合剂、电导调节剂等[2~4]诸多因素的影响,半导体气体传感器的敏感机理十分复杂,将这些因素与气敏性能联系起来也很困难。因此,到目前为止,还未形成统一的敏感理论。因此,进一步揭示半导体气体传感器的敏感机理,从材料工艺和性能设计方面开发高性能的传感器是当今气体传感器发展的重要课题。国内外进展状况在对气敏反应机理的研究中,Yamazoe[5]等人提出的相关理论及模型被学者普遍认同,他们发现半导体气体传感器在检测气体时将涉及两个关键功能,即感知功能(receptor function)和转换功能(transducer function),此外还涉及一个利用效率(utility factor)的问题,解释来说,感知功能即传感器通过气-固反应从而引起半导体表面电子分布的变化进而探测到目标气体的过程,转化功能即将上述半导体的表面现象转换为传感器的电阻变化的过程,而利用效率是指目标气体扩散[6]进入半导体气敏材料内部并与其发生化学反应的可能性。这三个关键因素都将随着外来粒子的引入而发生显著变化此外,在研究半导体的表面化学特性时,Yamazoe等人发现,在SnO2表面存在四种吸附氧,分别是分子型吸附氧O2()和()以及游离型吸附氧(),此外还存在晶格氧O2-(),这四种吸附氧的吸附温度随种类的不同而不同,由于气体传感器的工作温度一般为300℃及其以上的温度。因此,吸附氧在气体传感器与目标气体的反应中将扮演重要角色,同时,在一些情况下吸附氧也将参与这些气-固反应。对于SnO2传感器,当其暴露在可燃气体氛围中时,可燃气体将会和吸附氧发生电子交换从而消耗吸附氧,进而引起半导体表面电子密度升高,电阻下降。之后,Yamazoe等人对掺杂贵金属SnO2的敏感机理[7]也进行了细致的研究。根据添加剂与SnO2相互作用的方式不同,将贵金属的增敏机理分为两种,即可燃气体被添加剂活化,且活性氢自由基溢流到半导体表面与吸附氧作用生成水,促进半导体表面气体反应的化学增敏型以及添加剂与氧化物之间没有上述质量转移,但添加剂的氧化态起到强的电子受体作用,在氧化物界面附近形成一个强的电子耗尽的空间电荷层,从而实现灵敏度提高的电子增敏型。由以上分析可以看出,对于半导体氧化物气体传感器,敏感材料表界面化学性质在敏感机理中起到重要的作用。氧化物半导体由于导带中存在大量的自由电子和表面大量的氧空位,使材料表面具有较强吸附特性和高反应活性。随着颗粒尺寸的减小,材料表面原子比增加,相应的有效吸附面积和电子利用效率也增加[8]。然而对于大多数气体传感器,其敏感材料都是n型氧化物半导体,当材料暴露在空气中时,其表面吸附的一层氧负离子会使材料表面会形成一层电子耗尽层,除表面状态变化外,相邻晶粒间的电子传输也会形成势垒,这就是所谓的双肖特基势垒。双肖特基势垒是形成在相邻晶粒接触部分,因此,材料的电导率是晶粒的电学性能和晶界间电子的传输共同决定的[9]。基于以上分析,研究者在SnO2中空球中掺杂Au,发现由于Au纳米粒子的协助,氧气分子很容易吸附在SnO2表面,此外,Au纳米粒子还具有较好的催化活性使吸附氧更快地扩散到SnO2表面缺陷位置并快速地从SnO2导带位置捕获电子形成氧吸附粒子(,和)。在这个过程中可以使吸附氧的数量增多并加快分子—离子的转化率,导致一个更大的电子耗尽层形成,从而使电阻增加[10-11],由于与纯的S

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