浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析.PDFVIP

第 8 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 31 　No . 8 　2003 年 8 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Aug. 　2003 　 浮栅 ROM 与 SRAM 的辐射效应比较分析 贺朝会 ,耿 　斌 ,杨海亮 ,陈晓华 ,李国政 ,王燕萍 ( 西北核技术研究所 ,西安 69 信箱 13 分箱 ,陕西西安 710024) γ 　　摘 　要 : 　比较了浮栅 ROM 和 SRAM 的中子 、质子和 辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因. 与 SRAM 相比 ,浮 栅 ROM 器件出错时的 14MeV 中子注量阈值高 5 个量级 ;31. 9MeV 质子注量阈值高 4 个量级 ;总剂量损伤阈值相差不 4 ( ) 大 ,都在 10 rad Si 量级左右. 这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的. 在空间辐射环境中 ,不需经常 擦写数据的情况下 ,应该选用浮栅 ROM 器件. 关键词 : 　FLASH ROM ; EEPROM ; SRAM ; 单粒子效应 ; 总剂量效应 中图分类号 : 　TN47 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2003) Comp ari son and Analy si s of Ra diation Effect s betwe en Flo ating Gate ROMs and SRAMs HE Chaohui , GEN G Bin ,YAN G Hailiang ,CHEN Xiaohua ,L I Guozheng ,WAN G Yanping ( Northwest Institute of N uclear Technology , P. O. B ox 6913 , Xi ′an , Shaanxi 710024 , China) Ab stract : 　Similarities and differences of irradiation effects between floating gate ROMs ( Read Only Memory) and SRAM ( Static Random Access Memory) are compared. Reasons for differences are analyzed. The 14MeV neutron fluence threshold when error occurs in floating gate ROMs is higher than that in SRAM by 5 orders of magnitude ,31. 9MeV proton fluence threshold by 4 orders , and total dose threshold is about 104 rad ( Si) for both memories. All of these are attributed to the structure of memory cells and mecha nism of radiation effects. Floating gate ROMs are preferable to SRAM in application in space radiation environment when data in mem ory are not require