第四章存储器层次结构.ppt

第一讲 基本概念和主存储器 回顾：存储器基本术语 记忆单元 （存储基元 / 存储元 / 位元） （Cell） 具有两种稳态的能够表示二进制数码0和1的物理器件 存储单元 / 编址单位（Addressing Unit） 主存中具有相同地址的位构成一个存储单元，也称为一个编址单位 存储体/ 存储矩阵 / 存储阵列（Bank） 所有存储单元构成一个存储阵列 编址方式（Addressing Mode） 字节编址、按字编址 存储器地址寄存器（Memory Address Register - MAR） 用于存放主存单元地址的寄存器 存储器数据寄存器（ Memory Data Register-MDR (MBR) ） 用于存放主存单元中的数据的寄存器 回顾：存储器分类 （1）按工作性质/存取方式分类 随机存取存储器Random Access Memory (RAM) 每个单元读写时间一样，且与各单元所在位置无关。如：内存。 （注：原意主要强调地址译码时间相同。现在的DRAM芯片采用行缓冲，因而可能因为位置不同而使访问时间有所差别。） 顺序存取存储器Sequential Access Memory (SAM) 数据按顺序从存储载体的始端读出或写入，因而存取时间的长短与信息所在位置有关。例如：磁带。 直接存取存储器Direct Access Memory(DAM) 直接定位到要读写的数据块，在读写某个数据块时按顺序进行。例如：磁盘。 相联存储器Associate Memory/Content Addressed Memory (CAM) 按内容检索到存储位置进行读写。例如：快表。 回顾：存储器分类 半导体存储器：双极型，静态MOS型，动态MOS型 磁表面存储器：磁盘（Disk）、磁带 （Tape） 光存储器：CD，CD-ROM，DVD 回顾：存储器分类 （5）按功能/容量/速度/所在位置分类 寄存器(Register) 封装在CPU内，用于存放当前正在执行的指令和使用的数据 用触发器实现，速度快，容量小（几十个） 高速缓存(Cache) 位于CPU内部或附近，用来存放当前要执行的局部程序段和数据 用SRAM实现，速度可与CPU匹配，容量小（几MB） 内存储器MM（主存储器Main (Primary) Memory） 位于CPU之外，用来存放已被启动的程序及所用的数据 用DRAM实现，速度较快，容量较大（几GB） 外存储器AM (辅助存储器Auxiliary / Secondary Storage) 位于主机之外，用来存放暂不运行的程序、数据或存档文件 用磁表面或光存储器实现，容量大而速度慢 回顾：内存与外存的关系及比较 内存储器（简称内存或主存） 存取速度快 成本高、容量相对较小 直接与CPU连接，CPU对内存中的指令及数据进行读、写操作 属于易失性存储器(volatile)，用于临时存放正在运行的程序和数据 回顾：主存的结构 回顾：主存的主要性能指标 性能指标： 按字节连续编址，每个存储单元为1个字节（8个二进位） 存储容量：所包含的存储单元的总数（单位：MB或GB） 存取时间TA：从CPU送出内存单元的地址码开始，到主存读出数据并送到CPU（或者是把CPU数据写入主存）所需要的时间（单位：ns，1 ns = 10-9 s） 存储周期TMC：连读两次访问存储器所需的最小时间间隔，它应等于存取时间加上下一存取开始前所要求的附加时间，因此，TMC比TA大（ 因为存储器由于读出放大器、驱动电路等都有一段稳定恢复时间，所以读出后不能立即进行下一次访问。 ） 时间、存储容量（或带宽）的单位 回顾：内存储器的分类及应用 内存由半导体存储器芯片组成，芯片有多种类型： 回顾：六管静态MOS管电路 回顾：记忆单元的基本原理 动态单管MOS记忆单元电路 回顾：记忆单元的基本原理 动态单管MOS记忆单元电路 回顾：半导体RAM的组织 存储器芯片：存储体+外围电路(地址译码和读写控制) 回顾：字片式存储体阵列组织 回顾：位片式存储体阵列组织 回顾：位片式芯片框图 举例：TMS4116动态MOS存储器芯片 总体性能： 存储容量：16K x 1位 7根地址线复用（2x7=14） 芯片引脚 芯片框图 地址缓冲器和地址译码器 存储阵列 读出再生放大器 基本时序、读写操作定时 由4116芯片构成64K字X16位的存储器 举例：TMS4116动态MOS存储器芯片 举例：典型的16M位DRAM（4Mx4） 16M位=4Mb x 4=2048 x 2048 x 4=211x211x4 (1) 地址线：11根分时复用,由RAS和CAS提供控制时序。 (2) 需四个位平面，对相同行、列交叉点的4位一起读/写 (3) 内部结构框图 举例：典型的16M位DRAM（4Mx4）