Mn掺杂(ZnSe)12团簇物性研究.DOCVIP

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Mn掺杂(ZnSe)12团簇物性研究.DOC

Mn掺杂(ZnSe) 12团簇物性研究 谢建明陈红霞庄国策 盐城师范学院新能源与电子工程学院 木文采用密度泛函理论研宄了 Mn原子单掺杂和双掺杂(Zn Se) 12团簇的结构、 电子性质和磁性质。我们考虑了三种掺杂方式:替代掺杂,外掺杂和内掺杂。首 先比较丫各种摻杂团簇的稳定性。结果表明,无论是单掺杂还是双掺杂,替代掺 杂团簇都是最稳定结构。在结构优化的棊础上,我们对掺杂团簇又进行了磁性计 算。团簇磁矩主要来自Mn原子3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩。 由于轨道杂化,相邻的Zn和Se原子上也产生少量自旋。最重要的是,我们指出 内双掺杂团簇是铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值。 关键词: 密度泛函理论;团簇;掺也稳定性; 它具有较高的发光效率和低的吸收系数,是一种用途广、性能 优的光电子材料[2-3]。前人对Zn Se的研究主要集屮在体材料,关于闭簇的研 宂工作相对较少。对(Zn Se)。团簇的理论研宂表明,当n〈6时,二维平而结构 相对稳定;但当n6时,三维空心笼状结构更稳定以1。我们课题组研宄了(Zn Se) 12团簇的结构和性质。发现具有Th对称性的空心笼状的(Zn Se) 12团簇是最 稳定的结构,它包含了 12个Zn原子和12个Se原子,和其它II-VI族团簇最低 能量结构完全相同[5-7]。它的最高占据态(II0M0)-最低未占据态(LUM0)能隙 是3. 16eV,显示了它的半导体特性;自旋极化计算表明纯(Zn Se) 12团簇没有 磁性。 大量的研宄表明掺杂能够显著改善基体材料的物理性能mi。理论上开展了关 于过渡金属掺杂TT-VT族闭簇的研究工作[5, 15-16]。Mn摻杂(Zn 0) 12、(Zn S) 12团簇的研究表明,Mn原子间磁性耦合是短程的反铁磁耦合[15, 16]。目前还没 有关于Mn掺杂Zn Se团簇的相关研宄工作。为此,本文采用第一性原理方法系 统研宄了 Mn原子单掺杂和双掺杂(Zn Se) 12团簇的结构、电子性质及磁性质。 结果表明,内双掺杂团簇是铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值。 1计算方法 我们的计算采用了 Dmol软件包中自旋极化的密度泛函理论UZJM。我们选择了 全电子和DND基矢。交换关联势我们选择了 GGA/PBE皿。Mulliken布局分析被 用来分析原子磁矩[20]。自洽场计算时,总能量的收敛标准为10Ha,力的收敛 标准0. 002Ha/A,位置移动收敛标准为0. 005A。 PBE/DND的准确性在前面关于Zn 0团簇以及Zn S纳米管掺杂磁性质研宂工作屮 己经得到检验[21-23]。因此,相信我们的计算方案对描述Mn原子掺杂(Zn Se) 12团簇是可信的。 2结果和讨论 2.1单掺杂团簇 2.1.1几何结构 根据掺杂位置的不同,我们考虑了五种掺杂构型:A1:用一个Mn原子替代一个Zn 原子;A2:在空心笼的中心放置一个Mn原子;A3:在表面四原子环的中心放置一个 Mn原子;A4:在连接两个四原子环的Zn-Se键中间放罝一个Mn原子;A5:在连接网 个六原子环的Zn-Se键中间放置-个Mn原子。 图1画出了优化后的结构图。为了便于比较,我们也画出了纯(Zn Se) 12团簇。 由于掺杂进Mn原子,纯闭簇的某些键发生丫断裂,各原子间重新成键。由于Mn 原子和Zn原子的半径差异很小,除了新形成的键的键长微小变化之外,A1构型 和纯团簇结构非常类似。 图1单掺杂团簇结构图。大球代表Mn原子,中等球代表So原子,小球代表Zn 原子。Fig. 1 The optimized structures of monodoped (Zn Se) 12clusters. Big ball, Mn atom;middle ball, Se atom; small ball, Zn atom. 2.2.2能量稳定性 团簇的热力学稳定性可以通过形成能来表征。形成能定义为掺杂闭簇的能量减去 所有孤立原子的能量之和,再除以总原子数。为了比较这些团簇的稳定性,在结 构优化的基础上,我们计算了掺杂团簇的形成能和HOMO-LUMO能隙。结果列在表 1中。 表1单掺杂团簇的形成能(Ef) , HOMO-LUMO能隙(Gap),分裂能(AEl, AE2),团簇的总磁矩(Utot) , Mn原子磁矩(u)以及相邻Zn原子和Se原 子的磁矩(M land m2)。Table 1 The formation energies (Ef, in c V/atom), HOMO-LUMO gaps (Gap, in e V) , and fragmentation energies (A Eland A E2, in e V) of various monodoped (Zn S

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