SJT10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》标准新解.DOCVIP

SJ/T 10630-1995《电子元器件制造防静 电技术要求》标准新解 杨铭季新月何积浩贾增祥高志良 北京东方计量测试研宄所北京第二十中学中国空 间技术研究院通信卫星事业部 标准SJ/T 10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》规定并规范了静电放 电敏感电子元器件在研制、生产检验中的静电防护技术要求。木文对标准SJ/T 10630中提及的M0S结构与半导体结的静电敏感原因进行了分析，并重点结合国 际前沿的A1 GaN/GaN异质结场效应晶体管的栅极肖特基接触电流电压特性，对 标准SJ/T 10630进行了新的解读与分析，建议尽快修订标准SJ/T 10630，以适 应越来越高的电子元器件静电敏感度。 关键词： SJ/T 10630;电子元器件;静电防护;静电敏感度; Interpretation of SJ/T 10630-1995， Antistatic requirements for manufacturing electronic element and device YANG Ming JI Xin-yue HE Ji_hao JIA Zeng-xiang GAO Zhi—liang Beijing Orient Institute of Measurement and Test; Beijing No. 20 High School; Institute of Telecommunication of Satellite, CAST; Abstract： SJ/T 10630-1995， Antistatic requirements for manufacturing electronic element and device, regulates the electrostatic protection requirements for the electronic devices which are sensitive to the Electrostatic Discharge (ESD) . This paper analyzes the reasons for the traditional MOS structure and semiconductor junction, and especially combines with the Schottky current-voltage characteristics of the modern A1 Ga N/Ga N heterostructure field-effect transistors (HFRTs) ， proposes a new interpretation of SJ/T 10630-1995. The research shows that SJ/T 10630 is suggested to be modified to satisfy a higher level of electrostatic sensitivity of electronic devices. Keyword： SJ/T 10630; electronic device; electrostatic protection; electrostatic sensitivity; 1引言 静电以其普遍性、随机性、隐蔽性、潜在性和复杂性，成为多个行业不可忽视的 问题，特别是对于电子行业，其危害更是巨大［1-5］。为规范静电放电敏感电子 元器件在研制、生产检验屮受静电放电损害的防护技术要求，1995年施行了由 北京半导体器件三厂、电子部标准化研究所负责起草的中华人民共和国电子行业 标准SJ/T10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》。该标准适用于静电 电压小于4000 V静电放电敏感电子元器件制造过程中检验、装配、打印标志、 试验，包装、交货、验收、贮存运输、失效分析时的静电放电保护［6］。 标准SJ/T10630于1995年发布实施，当时对静电电压控制要求并不高，仅要求 控制在100V以下。随着科学技术的飞速发展，电子、通信、航天航空等高新产 业的迅速崛起，电子仪器仪表和设备等电子产品闩趋小型化、多功能及智能化， 高性能微电子器件己成为满足上述要求中不可缺少的核心元件。这种器件具有线 间距短、线细、栅氧薄、集成度高、运算速度快、低功率和输入阻抗高等特点，导 致器件对静电越来越敏感，电子元器件敏感电压已经远远低于100V,因此，需 要辩证地看待该标准要求。 本文在对传统MOS结构与半导体结的静电敏感原因进行了分析的基础上，重点 结合A1 Ga N/Ga N异质结场效应晶体管的栅极肖特基接触电流电压特性，对标 准SJ/T10630进行了