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SJT10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》标准新解.DOC
SJ/T 10630-1995《电子元器件制造防静 电技术要求》标准新解
杨铭季新月何积浩贾增祥高志良
北京东方计量测试研宄所北京第二十中学中国空 间技术研究院通信卫星事业部
标准SJ/T 10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》规定并规范了静电放 电敏感电子元器件在研制、生产检验中的静电防护技术要求。木文对标准SJ/T 10630中提及的M0S结构与半导体结的静电敏感原因进行了分析,并重点结合国 际前沿的A1 GaN/GaN异质结场效应晶体管的栅极肖特基接触电流电压特性,对 标准SJ/T 10630进行了新的解读与分析,建议尽快修订标准SJ/T 10630,以适 应越来越高的电子元器件静电敏感度。
关键词:
SJ/T 10630;电子元器件;静电防护;静电敏感度;
Interpretation of SJ/T 10630-1995, Antistatic requirements for manufacturing electronic element and device
YANG Ming JI Xin-yue HE Ji_hao JIA Zeng-xiang GAO Zhi—liang
Beijing Orient Institute of Measurement and Test;
Beijing No. 20 High School; Institute of Telecommunication of Satellite, CAST;
Abstract:
SJ/T 10630-1995, Antistatic requirements for manufacturing electronic element and device, regulates the electrostatic protection requirements for the electronic devices which are sensitive to the Electrostatic Discharge (ESD) . This paper analyzes the reasons for the traditional MOS structure and semiconductor junction, and especially combines with the Schottky current-voltage characteristics of the modern A1 Ga N/Ga N heterostructure field-effect transistors (HFRTs) , proposes a new interpretation of SJ/T 10630-1995. The research shows that SJ/T 10630 is suggested to be modified to satisfy a higher level of electrostatic sensitivity of electronic devices.
Keyword:
SJ/T 10630; electronic device; electrostatic protection; electrostatic sensitivity;
1引言
静电以其普遍性、随机性、隐蔽性、潜在性和复杂性,成为多个行业不可忽视的 问题,特别是对于电子行业,其危害更是巨大[1-5]。为规范静电放电敏感电子 元器件在研制、生产检验屮受静电放电损害的防护技术要求,1995年施行了由 北京半导体器件三厂、电子部标准化研究所负责起草的中华人民共和国电子行业 标准SJ/T10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》。该标准适用于静电 电压小于4000 V静电放电敏感电子元器件制造过程中检验、装配、打印标志、 试验,包装、交货、验收、贮存运输、失效分析时的静电放电保护[6]。
标准SJ/T10630于1995年发布实施,当时对静电电压控制要求并不高,仅要求 控制在100V以下。随着科学技术的飞速发展,电子、通信、航天航空等高新产 业的迅速崛起,电子仪器仪表和设备等电子产品闩趋小型化、多功能及智能化, 高性能微电子器件己成为满足上述要求中不可缺少的核心元件。这种器件具有线 间距短、线细、栅氧薄、集成度高、运算速度快、低功率和输入阻抗高等特点,导 致器件对静电越来越敏感,电子元器件敏感电压已经远远低于100V,因此,需 要辩证地看待该标准要求。
本文在对传统MOS结构与半导体结的静电敏感原因进行了分析的基础上,重点 结合A1 Ga N/Ga N异质结场效应晶体管的栅极肖特基接触电流电压特性,对标 准SJ/T10630进行了
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