Lab4金属电极蚀刻法试验-国立高雄第一科技大学.PDFVIP

微系統製造與實驗─ LAB4 金屬電極蝕刻實驗 Lab4 金屬電極蝕刻法實驗 4.1.實驗目的 練習以蝕刻法於晶圓上製作電極圖形 (pattern) ，並以光學顯微鏡檢測電極蝕刻結果。 4.2.實驗步驟 （1） 取出晶圓右上方部分（如圖 1 ），先將矽晶片用丙酮、異丙醇及去離子水清 潔晶片，洗去第一次微影之光阻圖形。 （2 ） 將晶片表面以PVD 方式濺鍍上金屬層(Cr) 。 圖 1 剝離法所用之晶圓圖形 （3 ） 以簡易清洗方式清洗濺鍍完之晶圓。 （4 ） 依Lab1的方式上光阻微影，將光罩右上角圖形轉移至晶圓光阻上。 （5 ） 以光學顯微鏡將圖中圈起部分（2處）以 OM照下來，並量測微影後特徵尺 寸的寬度。以檢驗第二次微影結果。 （6 ） 將微影完成之晶圓置於玻璃皿倒入鉻蝕刻液，以進行電極蝕刻。 4- 1 國立高雄第一科技大學機械系 余志成 © 2007 微系統製造與實驗─ LAB4 金屬電極蝕刻實驗 （7 ） 金屬蝕刻完成後，將矽晶片用丙酮、異丙醇及去離子水清潔晶片，洗去微 影之光阻圖形。 （8 ） 再利用光學顯微鏡(OM)將圖 1圈選處（ 2處），以OM拍攝電極蝕刻結果， 並量測特徵尺寸的寬度。注意每張 OM照片上都必須標示比例尺。 （9 ） 完整流程如表一 表一電極蝕刻實驗 光阻（PR ） 電極蝕刻的實驗步驟 Cr (1) 利用丙酮及異丙醇將矽晶片清潔 乾淨，接著在矽晶片上，用濺鍍 方式長金屬層(Cr) PR Cr (2) 接著光阻塗佈將塗佈完之 wafer 放 置加熱板上做軟烤動作。 (3) 利用微影製程，將所曝光的圖案， 使用顯影劑顯示圖案。 (4) 再用蝕刻鉻蝕刻液，將未受光阻阻 擋的部分蝕刻，蝕刻時間約十五分 鐘。 (5) 最後用丙酮將光阻剝離。 4-2 國立高雄第一科技大學機械系 余志成 © 2007 微系統製造與實驗─ LAB4 金屬電極蝕刻實驗 4.3.實驗報告 以下各項中，分別討論(a) lift-off 與(b)金屬蝕刻結果 1. 實驗目的 2. 實驗步驟 包括實驗過程與設定參數( ) 3. 實驗結果討論 (a) 實驗結果，以光學顯微鏡將指定的部分照下來，在照片中，請依顏色的不 同，分別標記為光阻、金屬 何種( ) 、及或/ Si 底材等區