[理学]第二章光电检测技术基础10.ppt

光度学与辐射度学 光度量和辐射度量的定义、定义方程是一一对应的。辐射度量下标为e（emission），光度量下标为v（visibility)。 光度量只在可见光区（３８０　—７８０nm)才有意义。 辐射度量和光度量都是波长的函数。 辐射通量的光谱分布与接收器的光谱响应 半导体基础知识 自然存在的各种物质，按物质形态分为气体、液体、固体。 固体按导电能力可分为：导体、绝缘体和介于两者之间的半导体。 电阻率10-6 —10-3欧姆?厘米范围内——导体 电阻率1012欧姆?厘米以上——绝缘体 电阻率介于导体和绝缘体之间——半导体 半导体的特性 （1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。 （2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。 光电效应 光照射到物体表面上使物体发射电子、或导电率发生变化、或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性发生改变的现象统称为光电效应 光电效应包括外光电效应和内光电效应 外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物 内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体内。 内光电效应包括： 光电导效应和光生伏特效应 光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 光生伏特效应简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。 金属或半导体受光照时，如果入射的光子能量hν足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现象，也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。 光电探测器的噪声和特性参数 一. 有关响应方面的特性参数 电压响应率：光电探测器件输出电压与入射光功率（辐射通量）之比 电流响应率：光电探测器件输出电流与入射光功率（辐射通量）之比 ２．光谱响应度：探测器在波长为λ的单色光照射下，输出电压或电流与入射到探测器上的单色光功率（辐通量）之比，即： 积分响应度为： ４．响应时间：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。 上升时间：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。 下降时间：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。 上升时间和下降时间：（a）入射脉冲方波；（b）响应时间 二. 有关噪声方面的特性参数 噪声功率谱：随时间变化的噪声函数的频谱，其数值为频率f的噪声在1Ω电阻上所产生的功率。 1、热噪声 或称约翰逊噪声，即载流子无规则的热运动造成的噪声。 导体或半导体中每一电子都携带着电子电量作随机运动(相当于微电脉冲)，尽管其平均值为零，但瞬时电流扰动在导体两端会产生一个均方根电压，称为热噪声电压。 热噪声存在于任何电阻中，热噪声与温度成正比，与频率无关，热噪声又称为白噪声 热噪声均方电流和均方电压为： 2、散粒噪声 散粒噪声：入射到光探测器表面的光子是随机的，光电子从光电阴极表面逸出是随机的，PN结中通过结区的载流子数也是随机的。 散粒噪声也是白噪声，与频率无关。 散粒噪声是光电探测器的固有特性，对大多数光电探测器的研究表明：散粒噪声具有支配地位。 例如光伏器件的PN结势垒是产生散粒噪声的主要原因。 散粒噪声电流： 3、产生-复合噪声 半导体受光照，载流子不断产生-复合。 在平衡状态时，载流子产生和复合的平均数是一定的 但在某一瞬间载流子的产生数和复合数是有起伏的。 载流子浓度的起伏引起半导体电导率的起伏。 在外加电压下，电导率的起伏使输出电流中带有产生——复合噪声，其噪声电流均方值为： 4、1/f噪声 或称闪烁噪声或低频噪声。是由于光敏层的微粒不均匀或不必要的微量杂质的存在，当电流流过时发生微火花放电而引起的微电爆脉冲。 噪声的功率近似与频率成反比 多数器件的1/f噪声在200—300Hz以上已衰减到可忽略不计。 三. 衡量噪声的参数 2. 噪声等效功率(NEP) 定义：信号功率与噪声功率比为1（SNR=1）时，入射到探测器件上的辐射通量(单位为瓦)。 这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流） 噪声等效功率是一个可测量