剥离技术制作金属互连柱及其在MEMS中的应用-.pdf

技术专栏 剥离技术制作金属互连柱 及其在MEMS中的应用 史锡婷，陈四海，何少伟，黄磊，李毅，易新建 （华中科技大学光电子工程系，武汉 430074） 摘要：介绍了利用AZ5214光刻胶及ZKPI-305IID型非光敏聚酰亚胺制作的两种不同的剥离层，即双 层AZ5214和ZKPI＋AZ5214。此两种剥离工艺简单易操作，可剥离出1μm金属镍柱，并可在MEMS 工艺制作中获得了良好的效果。 关键词：微电子机械系统；剥离技术；双层光刻胶；聚酰亚胺 中图分类号：TN305 文献标示码：A 文章编号： SHI Xi-ting，CHEN Si-hai，HE Shao-wei，HUANG Lei，LIYi，YI Xin-jian ( Technology, Wuhan430074, China) Abstract： m- Key words：MEMS；lift-off technology；bi-layer photoresist；ZKPI 免用化学试剂湿法腐蚀对图形轮廓及下层材料造成 1 引 言 损坏，可采用剥离技术来制作金属互连柱。 [1] 微电子机械系统 （MEMS）技术作为一项新 剥离技术普遍用来代替离子轰击难于刻蚀的金 兴的微细加工技术，已开始在各领域应用。它具有 属材料。一般的剥离工艺首先涂上厚的光刻胶并形 体积小、精度高、性能稳定、可靠性高、耗能低、 成图案，然后使用蒸发或溅射技术淀积一个金属薄 灵敏性和工作效率高、多功能和智能化、制造成本 层。接下来基片浸到能溶解光刻胶的溶液里，直接 [2] 低等优点 。在MEMS制作过程中，常常需要将 淀积在基片上的金属图形将被保留，而淀积在光刻 [3] 传感器和电路控制部分连接，即要实现接触孔的电 胶上的金属将随着光刻胶的溶解而从基片上脱落 。 互连结构，为了与上层结构形成良好的电连接，就 为了实现良好的金属剥离，金属膜厚不能超过 [4] 需要镀一层金属薄膜 （如铝、镍等），在接触孔 剥离层膜厚的2/3，同时光刻窗口的剖面必须整 和上层传感器结构之间立一个金属互连柱。为了避 齐且形成下宽上窄的正 “八”字图形，如图1所 示。其目的在于人为设置沉积膜时的 “死角”造 基金项目：国家自然科学基金资助 December 200 5 Semiconduct or Technol ogy Vol . 30 N o . 12 15 技术专栏 成金属膜在图形边缘过渡区的不连续性，台阶处有 以选择不同的旋涂转速，按照实际情况来决定。 断裂，剥离液很容易渗透到光刻胶，完成顺利的剥 （2）前烘：每涂完一层胶就要进行一次软 [5]