[信息与通信]第9章 电力电子器件应用的共性问题.ppt

9.1 电力电子器件的驱动 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述 9.1.2 典型全控型器件的驱动电路 9.1.3 IGBT器件的驱动电路 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述 ■驱动电路 ◆是电力电子主电路与控制电路之间的接口。 ◆良好的驱动电路使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。 ◆对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。 ◆一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。 ■驱动电路的基本任务 ◆按控制目标的要求给器件施加开通或关断的信号。 ◆对半控型器件只需提供开通控制信号；对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述 ■驱动电路的分类 ◆按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。 ◆晶闸管的驱动电路常称为触发电路。 ■驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。 ◆双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。 ◆为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。 9.1.2 典型全控型器件的驱动电路 9.1.2 典型全控型器件的驱动电路 9.1.2 典型全控型器件的驱动电路 9.1.2 典型全控型器件的驱动电路 9.1.3 IGBT器件的驱动电路 EXB851应用电路 驱动信号延时小于1.5us。 如果IGBT的集电极产生过大的电压脉冲，增加IGBT门极的串联电阻。 缺点：过流保护阀值过高，Vce7V时动作，此时已远大于饱和压降；存在保护肓区；在实现止常关断时仅能提供一5V偏压，在开关频率较高、负载过大时，关断就显得不可靠；无过流保护自锁功能，在短路保护时其栅压的软关断过程被输入的关断信号所打断。 三菱驱动模块M57962L 与EXB841相比，M57962AL需要双电源(+15V，一1OV)供电，外周电路复杂。而正是因为M57962AL可输出一10V的偏压，使得IGBT可靠地关断；另外，M57962AL具有过流保护自动闭锁功能，并且软关断时间可外部调节，而EXB84l的软关断时间无法调节。所以M57962AL较EXB841更安全、可靠。 Hcpl-316j 欠压锁定保护 过流保护功能 同EXB841和M57962AL一样无降栅压保护。因此，GH-039驱动模块也是有缺陷的。 IR系列驱动器 IR系列驱动器采用了不隔离的驱动方式，在主电路的功率器件损坏时，高压可能直接串入驱动器件，致使驱动模块及前极电路损坏。 5.UC37系列驱动器 UC37系列驱动器 该系列驱动器一般由UC3726和UC3727两片芯片配对使用，其工作频率较高，但在两芯片之间需增加脉冲变压器，给电路的使用和设计带来 不便，因此该系列驱动器并未得到推广。 9.1.4 IGBT器件的保护 IGBT损坏的原因可以归结为以下3个方面： 过热损坏，它又分为由于集电极电流过大引起的瞬时过热损坏和其它原因引起的持续过热损坏； 集电极发射极间过压损坏； 栅极过压损坏。 9.1.4 IGBT器件的保护 IGBT的保护要从以下4个方面着手： 集电极发射极间过电压保护； 栅极过电压保护； 过流保护； 过热保护。 9.1.4 IGBT器件的保护 短路（过流）保护 （1）短路模式 （2）电流检测法保护 （3）Vce（sat）检测法保护 降额应用 散热考虑 功率模块内部热阻分布 安装加工 （1） 预防ESD损伤 IGBT的栅氧厚度比功率MOSFET要厚，这使得它对静电不如后者敏感。但是IGBT毕竟是MOS栅器件，应用中须有防静电措施： 控制电路中设计栅极泻放电阻和稳压管保护； 运输、储存、加工、焊接中注意避免静电损伤（静电电压控制在100V以下）； (2) 使用平整度好的散热器 （3）均匀涂抹满足厚度要求的导热硅脂 （4）使用正确的安装力矩和安装程序 按照正确的顺序预紧、最终紧固螺钉： IGBT失效分析 1、失效原因： （1）设计因素： 过电应力； 散热不足； 容差偏小； 业界发展趋势 2、芯片技术 降低通态压降； 降低开关损耗； 改善耐冲击性； 提高高压晶体管的正向截止电压； 目前最大潜力在于单元设计的优化； 3、新材料 以碳化硅(SiC) 及GaN为代表的宽禁带材料，是继Si和GaAs之后的第三代半导体。 与Si相比，SiC具有宽禁带(Si的2~3倍，Si的禁