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[理学]ch4-2

本章主题 MOSFET结构及工作原理(补充) CMOS基本逻辑单元 静态逻辑和动态CMOS电路 BiCMOS逻辑集成电路 MOS存储器 §4.1 CMOS逻辑集成电路 MOS反相器 电阻负载NMOS反相器 采用晶体管作为负载器件的反相器 CMOS反相器 CMOS传输门 反相器分类 MOS反相器输入(驱动管)必须是增强型MOS,早期用PMOS(易于实现增强型) 根据负载情况不同,反相器的形式也不同 E/R电阻负载NMOS反相器 (E/E、E/D)采用晶体管作为负载器件的反相器 CMOS反相器 反相器的特性 反相器的特性 Noise definition in DC Nominal voltage level Voltage transfer characteristic Noise margin Fan-in and Fan-out Input/output resistance Ideal inverter Delay definition Power dissipation 理想的反相器 电压增益无穷大 噪声容限等于逻辑幅值的一半 反相器的阈值电压等于逻辑幅值的中间点 输入电阻无穷大 输出电阻等于零 静态行为的噪声 直流特性 Nominal voltage level 数字逻辑:0、1 布尔量 物理量:VOL、VOH 连续量 LogicSwing: VOH-VOL 反相器的阈值电压:VM (V(y)=V(x)的点) 电压传输特性:Vout=f(Vin) 电平噪声容限 VIL:输入电平逻辑“0”的最大输入电压 VIH:输入电平逻辑“1”的最小输入电压 VOL:输出电平逻辑“0”的最大输出电压 VOH:输出电平逻辑“1”的最小输出电压 NML=VIL-VOL NMH=VOH-VIH Fan-in and Fan-out 器件的输入、输出电阻 当输入信号电压加到器件的输入端时,器件本身相当于前一级器件的负载 输入电阻越大则前一级的信号衰减的越小 器件空载时的伏安比为输出电阻 器件的输出电阻越小,则输出电阻受负载的影响越小,说明器件带负载能力越强 逻辑器件的功耗 功耗对设计的影响 封装、冷却设备、电源线尺寸的设计 单个芯片中可容纳的晶体管数目 影响芯片的可用性、造价、稳定性 功耗分类 峰值功耗—电源线尺寸 平均功耗—冷却设备、电池容量 功耗参数(静态功耗、动态功耗) 功耗与速度的关系 能量在晶体管中转移的越快、速度越快、延迟越小 功耗延迟积来表达电路的特征 本节内容 MOS反相器 电阻负载NMOS反相器 采用晶体管作为负载器件的反相器 CMOS反相器 CMOS传输门 电阻负载E/R 5个有价值的临界点 反相晶体管截止 反相晶体管导通 两个临界点 中点电压 缺点 负载电阻值要求大 功耗大 占用了版图 解决方案 采用小尺寸的晶体管制作负载器件 例题 N沟E/RMOS反相器,已知VDD=5V,MOS管VT=1V,电子迁移率:500㎝2/VS。MOS栅氧化层厚度Tox=800埃,ε0εSiO2=3.3X10-13F/㎝,要得到输出低电平VOL=0.25V,耗尽管的沟道宽长比为0.5 计算R的电阻值 本节内容 MOS反相器 电阻负载NMOS反相器 采用晶体管作为负载器件的反相器 CMOS反相器 CMOS传输门 饱和区工作的增强型负载反相器 负载管M1处于饱和区 输入高电平时,M2导通,Vout下降;M1工作于饱和区 输入低电平时,M2截止,Vout上升到VDD-VT;M1起上拉作用 输出低电平和两个管 子的长宽比相关 缺点 输出高电平低于VDD 要求k1K2 功耗大 受体效应的影响 线性区工作的增强型负载反相器 特点 负载器件的栅接到另一直流电源VGG≥VDD+VT 负载器件工作在线性区 输出波形上沿理想,电路工作速度较高 缺点 要求额外的电源,芯片面积增大 要求k1K2,从而增大了芯片面积 受体效应的影响 耗尽型负载反相器 特点(E/D反相器) 以耗尽型NMOS晶体管作为负载 负载器件的栅源短接,当VDSVGS-VT时相当于恒流源作为负载,能获得较快的上升波形 输入低电平时,Vout ≈VDD 输入高电平时,M2导通处于线性区,输出电压很小,但不为零 2K2(VDD-VT2)Vout=K1(VGS-VT1)2 输出特性曲线较好,静态功耗不为零 例题(浙大2000年考题) N沟E/DMOS反相器,已知VDD=5V,增强管VT=1V,耗尽管VT=-2伏,电子迁移率:500㎝2/VS。MOS栅氧化层厚度Tox=800埃,ε0εSiO2=3.3X10-13F/㎝,输入高电平VIH等于本级输出高电平VOH,本级输出低电平VOL=0.25V,耗尽管的沟道宽长比为0.5 计算增强管的沟道宽长比(10分) 计算反

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