[管理学]无机材料物理化学-缺陷3 2.ppt

从化学观点看TiO2-x： 固溶体：3价态掺杂4价态Ti3+→ Ti4+; 色心的应用非化学计量缺陷形成各种色心 EX. MX F’色心： F色心： M色心： R色心： V1心： V2心： 作业：P 62 3-4 3-5 3-6 3-7 3-8 3-9 * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * 对正刃型位错：位错线向上攀移时，消除空位/产生填隙原子；向下攀移时，产生空位/消除填隙原子 * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * (3)、位错塞积 位错运动→障碍：位错堆积 一群塞积的位错－位错群：前密后稀 七、位错的运动 Dislocation pile-up in Steel * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * (3)、位错塞积 【Eg.】多晶材料中在晶界前形成位错塞积 晶界处晶粒的位相差→邻近晶粒滑移系统取向不一致（离子/共价晶体滑移系统少，更易发生） Dislocation pileups at grain boundaries indicate these boundaries are very strong obstacles to dislocation motion * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * (3)、位错塞积 位错在空间沿折线运动所需能量大，外加切应力在新滑移方向上不一定超过临界应力，造成位错在晶界前停滞塞积 障碍前塞积的位错可能造成微裂纹 * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * §2－6 面缺陷 一、表面与晶界 在实际晶体中，晶体不会无穷大，存在一定的边沿，即存在表面 同时，物质一般也不会是由一块晶体构成，而是由多块晶体构成，晶体与晶体之间存在边界，即晶界 * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * 二、面缺陷 沿某一晶面，两边的原子排列不同，即存在结构缺陷，该缺陷为二维延伸的面，在面上薄层内原子排列偏离平衡位置，故为面缺陷。包括表面、相界与晶界等 * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * 一 外表面：表面原子的排列与内部有较为明显的差别，表面处原子周期性排列中断，形成附加表面能。 为减小表面能，原子排列必须作相应调整。对晶体而言，经过4－6层后，原子排列与晶体内基本接近(晶格常数差小于0.1A) * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * 在实际的表面上存在着大量的平台(Terrace)、台阶(Ledge)和扭折(Kink，亦称为断口)。该结构称为TLK模型 高低不平＋微裂纹 * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * Terrace Ledge Kink * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * 实际存在的表面，表面上能量高、活性大，发生大量的吸附与化合等 表面点缺陷主要是原子热运动造成的表面空位或空位团簇(Cluster) * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * 二 晶界 晶粒间界的简称；陶瓷材料是多晶材料，由大量晶粒构成（晶体生长在许多部位同时生长，不形成均匀单晶） 晶界是多晶体中由于晶粒取向不同而形成的，有序到无序的过渡区域 晶界性质对陶瓷材料性质具有重大影响 * entire sample Crystal lattice structure within a single grain Break down of atomic symmetry at grain boundaries Grains separated by a grain boundaries * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * 晶粒空间位向不同 空间过渡：atom simulation of Si grain boundary TEM image showing grain boundaries Grain Boundary HRTEM * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * 晶界上质点排列不规则，偏离理想结构，质点距离疏密不均，从而形成微观的机械应力，称晶界应力 晶界上应力集中 杂质、空位、气孔聚集，缺陷较多，应力集中 多晶材料晶界两侧，晶粒取向不同，热膨胀系数、弹性模量等物理性质均有差异，烧成后冷却过程产生晶界应力 固溶体晶界两侧晶粒化学组成不同，烧成后冷却过程产生晶界应力 * 杨为中 无机材料物理化学－晶格缺陷 * 晶粒越大，晶界应力也越大 故一些粗晶材料甚至由于晶界应力造成晶粒贯穿性断裂，造成陶瓷材料机械强度、介电性质较差 陶瓷生产中需限制晶粒长大，如制定严格烧成制度、人为掺杂等 *