[工学]Ch3 半导体光电探测器.pptVIP

Ch3 半导体光电探测器 Ch3 半导体光电探测器 §3-1 光电探测器性能参数 §3-2 光敏电阻(光电导) §3-3 光电池(太阳电池) §3-4 结型光电探测器 §3-5 CCD摄像器件 基本结构；基本原理；基本电学特性。 光电探测器的物理效应 光子效应和光热效应 光电发射效应 光电导效应 光伏效应 §3-1 光电探测器性能参数 一、基本性能参数 1.量子效率-η Ip- 光电流 P-光强 hv-光子能量 # 1） P：入射探测器表面光强-外量子效率 2） P：探测器吸收光强-内量子效率 2.响应度-R 3.灵敏度-S 4.光谱响应率-单色 5.等效噪声功率-NEP Ip(输出信号电流)= 6.归一化探测率-D* 探测率： 归一化探测率： 二、探测器噪声 1.噪声表述 特点：随机，不可预测； 统计平均值为0。 表征：均方值（方均值）表述。 总噪声： 噪声特性： 与频率相关； or 与频率无关-白噪声。 2.噪声源 1）热噪声--载流子无规则热运动（白噪声） 2）散粒噪声--载流子渡越势垒区随机起伏（白噪声） 3）产生--复合噪声：载流子复合随机起伏 4）1/f噪声--低频（ 1kHz） 5）光子噪声—光子随机起伏 §3-2 光敏电阻(光电导探测器) 一、器件物理： 半导体材料吸收光子能量— 产生电子－空穴对； 杂质电离产生电子或空穴。 光生载流子使材料电导增大—光电导； 光生载流子定向移动形成电信号—光电流。 #光电导--- 本征光电导； 杂质光电导(杂质密度比原子密度低光电导可略)。 二. 光电导-附加电导率 无光照时电导率—暗电导率： 光生非平衡载流子电导率(附加电导率)： 总电导率： 三. 光电流-附加电流 设材料光照面为单位面积， 厚度L；偏置电压V。 光照平衡状态，产生率=复合率： 四. 光电流灵敏度 X截面光强： 光子数及光生载流子产生率： # 光电导增益：一个光生载流子 对外电路贡献的载流子数。 光生载流子存在寿命； 光生载流子在材料二端电场作用下定向运动； 一端流出，另一端补存，直至载流子复合； 寿命期间向外电路提供的载流子数，即增益。 五. 光电导弛豫 光照时光电导逐渐上升，光照停止后光电导逐渐下降的现象。 # 载流子寿命 —小注入时常数； ---大注入时非常数。 1.单分子复合情况—小注入 2.双分子复合情况—大注入 3.噪声特性 噪声源：产生-复合噪声；热噪声；低频(1/f)噪声. 工作物理机制； 暗电导； 光电导； 量子效率；   光电导（光电流）增益？ 噪声源？ 1.基予物理概念给出用载流子寿命表述的光电导（光电流）增 益，并解释其机理？ 2.将处于光照射状态的光电导体形成闭合回路，外电路中是否 会有电流？ §3-3 光电池(太阳电池) 四、I-V方程 开路(平衡)时电流关系 八、常规pn结太阳电池不足 太阳电池关键参数—效率 1.半导体复合: 光生载流子在表面区复合； 扩散至扩散长度外复合。 2.串联电阻大: 低的表面区掺杂接触电阻高。 3.表面反射: 表面反射降低光吸收。 4.抗高能粒子能力差: 高能粒子在半导体表面产生缺陷，降低载流子寿命。 九