[工程科技]逻辑门电路.ppt

3.2.5 CMOS门电路电气特性和参数 1. 直流电气特性和参数 ⑴ 输入高电平VIH 和输入低电平VIL 在保证输出电平基本不变的情况下，允许输入高、低电平有一定范围变化。一般都给出输入高电平的最小值VIL(min)和输入低电平的最大值VIH(max)。 ⑵ 输出高电平VOH 和输出低电平VOL VOH和VOL同样也各有一个允许的数值范围，同样也给出输出高电平的最小值VOH(min)和输出低电平的最大值VOL(max) 。 ⑶噪声容限VNH和VNL 将两个门电路互相连接使用时，前一个门的输出即为下一个门的输入，由于G1输出高、低电平有一定的允许范围，G2输入高、低电平也有一定的允许范围，他们的差值即为噪声容限。 高电平噪声容限 低电平噪声容限 如图可求出： VNH=4.3-3.5=0.8V VNL=1.5-0.33=1.17V ⑷ 高电平输入电流 和低电平输入电流VOL 无论输入电压是高电平(VDD)还是低电（0V），保护二极管都不导通，因此输入电流很小，一般都在1μA以下。 当输入Vi高于VDD+0.7V或低于-0.7V时，二极管将导通，电流会很大，为此，输入端必需串接保护电阻。 输入端悬空状态下，栅极上会造成电荷积累，使栅极击穿，为此，多余的栅极应正确处理。 ⑸ 高电平输出电流 和低电平输出电流 空载时，CMOS门电路输出的高电平接近于VDD，输出的低电平接近于0。 当带负载时，情况如下： 输出高电平时： 输出低电平时： 2. 开关电气特性和参数 ⑴ 传输延迟时间 平均传输时间 ⑵ 动态功耗 静态功耗可以忽略不计。 当VO由低电平变为高电平时，电源经T2向CL充电，充电电流产生功率损耗。当VO由高电平变为低电平时，CL经T1放电，放电电流也产生功率损耗。 T2 T1 由于CL充放电产生的功耗PL可由下式计算： f为为输出电压变化的频率 电路在输出电平转换过程中，必定在一个短暂的瞬时T1和T2同时导通，产生一个尖峰电流，于是有一个瞬变功耗PT。 Cpd 称为功耗电容，手册中查出。 ⑶ 输入电容 C1 输入电容C1包括输入级一对MOS管的栅极电容以及输入保护电路的接线电容。 3. 3. 1 半导体二极管的开关特性 静态特性 1. 外加正向电压(正偏) 二极管导通(相当于开关闭合) 2. 外加反向电压(反偏) 二极管截止(相当于开关断开) 硅二极管伏安特性 阴极 A 阳极 K PN结 - A K + P区 N区 + + + + + + + + - - - - - - - - 正向 导通区 反向 截止区 反向 击穿区 0.5 0.7 /mA /V 0 3.3 双极型半导体二极管和三极管的开关特性 uY uA uB R0 D2 D1 +VCC +10V 3. 3. 2 二极管与门和或门 一、二极管与门 3V 0V 符号: 与门（AND gate) A B Y 0 V 0 V UD = 0.7 V 0 V 3 V 3 V 0 V 3 V 3 V 真值表 A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 Y = AB 电压关系表 uA/V uB/V uY/V D1 D2 0 0 0 3 3 0 3 3 导通 导通 0.7 导通 截止 0.7 截止 导通 0.7 导通 导通 3.7 二、二极管或门 uY/V 3V 0V 符号: 或门（OR gate) A B Y ≥1 0 V 0 V UD = 0.7 V 0 V 3 V 3 V 0 V 3 V 3 V uY uA uB RO D2 D1 -VSS -10V 真值表 A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 电压关系表 uA/V uB/V D1 D2 0 0 0 3 3 0 3 3 导通 导通 - 0.7 截止 导通 2.3 导通 截止 2.3 导通 导通 2.3 Y = A + B NPN 3. 3. 3 半导体三极管的开关特性 发射结 集电结 发射极 emitter 基极 base 集电极 collector b iB iC e c 1. 结构、符号和输入、输出特性 (2) 符号 N N P (Transistor) (1) 结构 (3) 输入特性 (4) 输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40μA 30 μA 20 μA 10 μA iB = 0 0 2