半金属磁性氧化物之能谱研究.docVIP

半金屬磁性氧化物之能譜研究 黃迪靖a、陳 駿b、張春富a、吳文斌c、及鍾世俊a a同步輻射研究中心 b中正大學物理研究所 c彰化師範大學物理系 磁性氧化物是研發未來自旋電子學重要材料之一，半金屬磁性材料是最理想的自旋電子元件的材料。應用自旋解析光電子發射和軟X光吸收磁圓偏振二向性等尖端同步輻射能譜學方法，可以仔細而且深入地探討磁性材料的物理現象及其應用潛力。本文介紹如何以同步輻射能譜學方法，研究Fe3O4 (100)薄膜的電子結構並討論Fe3O4 (100)薄膜的半金屬磁性質。 一、前言 自從物理學家發現高溫超導銅氧化物後，金屬氧化物成為固態物理重要的研究材料之一。許多重要且有趣的物理現象，皆源自於電子與電子間的強關聯性，這些現象不但帶給研究泛函理論(Density Functional Theory)方面的物理學家一大挑戰，而且具有重要的應用價值[1]。例如磁性氧化物是研發未來自旋電子學重要的材料之一，其中所謂半金屬磁性材料如CrO2及Fe3O4等皆可能具有100%自旋極化的導電電子。未來自旋電子學[2]，將賴於電子穿隧磁阻現象(Tunneling Magnetoresistance, TMR) 的應用，例如在兩個鐵磁薄膜中間夾著一層絕緣層所構成的”自旋閥”(spin valve)結構中，當兩層鐵磁薄膜的磁矩呈平行排列時，由於電子穿隧效應此元件電子處於導通狀態，當它們是反平行