[理学]第三章 晶体缺陷.pptVIP

第三章 晶体缺陷 3.1 点缺陷 3.2 线缺陷 3.2.1 位错的基本类型和特征 3.2.2 柏氏矢量 3.2.3 位错的运动 3.2.4 位错的弹性性质 3.2.5 位错的生成与增殖 3.2.6 位错与晶体缺陷的相互作用 3.2.7 实际晶体中的位错 晶体中的缺陷概论 3.1 点缺陷 3.1.2、点缺陷对材料性能的影响 3.1.3、空位的平衡浓度 3.2 位错 2、螺型位错 3.2.2 伯氏矢量 2、伯氏矢量的特性 3.2.3 位错的运动 3.3 表面与界面 3.3.2 晶界与亚晶界 3.3.4、相界 小结 3.2.4 位错的弹性性质 1、位错的应力场 （1） 螺型位错的应力场 因此，螺型位错的应力场具有以下特点： (1)只有切应力分量，正应力分量全为零，这表明螺位错不引起晶体的膨胀和收缩。 (2)螺型位错所产生的切应力分量只与r有关(成反比)，而与θ、z无关。只要r一定，τzθ就为常数。因此，螺型位错的应力场是的对称的，即与位错等距离的各处，其切应力值相 等，并随着与位错距离的增大，应力值减小。 注意，这里当r→0时， τzθ → ∞，显然与实际情况不符，这说明上述结果不适用位错中心的严重畸变区。 （2） 刃型位错的应力场 (1)刃型位错应力场具有的特点： p98 2、位错的应变能 3、位错的线张力 位错总应变能与位错线的长度成正比。为了降低能量，位错线有力求缩短的倾向，故在位错线上存在一种使其变直的线张力T。 线张力是一种组态力，类似于液体的表而张力，可定义为使位错增加单位长度所需的能量。所以位错的线张力T可近似地用下式表达： 4、作用在位错上的力 在外切应力的作用下，位错将在滑移面上产生滑移运动。由于位错的移动方向总是与位错线垂直，因此，可理解为有一个垂直于位错线的“力”作用在位错线上。 利用虚功原理可以导出这个作用在位错上的力。如图3-29所示，设有切应力τ使一小段位错线dl移动了ds距离，结果使晶体沿滑移面产生了b的滑移，故切应力所做的功为： Fd是作用在单位长度位错上的力，它与外切应力τ和位错的柏氏矢量b成正比，其方向总是与位错线相垂直并指向滑移面的未滑移部分。 需要特别指出的是作用于位错的力只是一种组态力，它不代表位错附近原子实际所受到的力，也区别于作用在晶体上的力。Fd的方向与外切应力τ的方向可以不同，如对纯螺型位错，Fd的方向与τ的方向相互垂直(见图3．29(b))；其次，由于一根位错具有唯一的柏氏矢量，故只要作用在晶体上的切应力是均匀的，那么各段位错线所受的力的大小完全相同。 滑移力，攀移力 5、位错间的交互作用 a、两平行螺型位错的交互作用 b、两平行刃型位错间的交互作用 3.2.5 位错的生成与增殖 1、 位错的密度 位错在晶体表面的露头 抛光后的试样在侵蚀时，由于易侵蚀而出现侵蚀坑，其特点是坑为规则的多边型且排列有一定规律。只能在晶粒较大，位错较少时才有明显效果。 薄膜透射电镜观察 将试样减薄到几十到数百个原子层(500nm以下)，利用透射电镜进行观察，可见到位错线。 位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度，其数学表达式为 式中L为位错线的总长度，v是晶体的体积。 穿过单位面积的位错线数目： 式中l为每根位错线的长度；n为在面积A中所见到的位错数目。 2、 位错的生成 (1)晶体土长过程中产生位错。其主要来源有； ①由于熔体中杂质原子在凝固过程中不均匀分布使晶体的先后凝固部分成分不同，从而点阵常数也有差异，可能形成位错作为过渡； ②由于温度梯度、浓度梯度、机械振动等的影响，致使生长着的晶体偏转或弯曲引起相邻晶块之间有位相差，它们之间就会形成位错； ③晶体生长过程中由于相邻晶粒发生碰撞或因液流冲击，以及冷却时体积变化的热应力等原因会使晶体表面产生台阶或受力变形而形成位错。 (2) 由于自高温较快凝固及冷却时晶体内存在大量过饱和空位，空位的聚集能形成位错。 (3) 晶体内部的某些界面(如第二相质点、李晶、晶界等)和微裂纹的附近，由于热应力和组织应力的作用，往往出现应力集中现象，当此应力高至足以使该局部区域发生滑移时，就在该区域产生位错。 3、 位错的增殖 F—R源发生作用的临界切应力为: 3.2.6 实际晶体结构中的位错 1. 实际晶体中位错的柏氏矢量 单位位错：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错。 全位错：柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错。故全位错滑移后晶体原子排列不变。 不全位错（或部分位错）：把柏氏矢量不等于点阵矢量的整数倍的位错，不全位错滑移后原子排列规律发生变化。 2. 堆垛层错