半导体工艺原理—扩散掺杂工艺2013520贵州大学.pptVIP

杂质横向扩散示意图 杂质横向扩散示意图 由于横向扩散作用，结包含 一个中央平面区 一个近似圆柱、曲率半径为rj的边 如果扩散掩蔽层有尖锐的角，在这角处的结将因横向扩散而近似于圆球状。 电场强度在圆柱和圆球结处较强，该处雪崩击穿电压将远低于有相同衬底掺杂的平面结处。 * 硅中点缺陷 空位 V0 、V+、 V- 、 V2- 自间隙 I、 替位杂质 A，间隙杂质Ai 间隙原子团 AI；AV；(AI)-… * 杂质原子与点缺陷的结合 自间隙与杂质的结合可以促进扩散运动。 如氧化时产生大量自间隙原子，AI团增大，导致扩散能力增加。 * 扩散系数与杂质浓度的关系 扩散系数和空位成正比：D∝V 实际空位：V=V0+V++V-+V2-+… Ec Ev E2- E- E+ 0.11eV 0.44eV 0.06-0.16eV 硅中空位的能带图 * 扩散系数与杂质浓度的关系 硅衬底的掺杂浓度对杂质的扩散系数有影响，衬底掺杂浓度Ce比扩散温度下本征载流子浓度Ci高时(CeCi ≈ 1019/cm3) ，将使扩散系数显著提高，称之为场助扩散效应。 本征扩散系数： 非本征扩散系数： * 发射区推进效应 也称为发射区陷落效应。B扩散的增强是由于磷与空位相互作用形成的PV对，发生分解所带来的复合效应。 xbc δ e b n p n 掺B P扩散 掺P * 氧化增强扩散(OED) 硼在氧化气氛中的扩散存在明显增强现象，磷、砷也有此现象。 原因是氧化诱生堆垛层错产生大量自填隙Si，间隙-替位式扩散中的“踢出”机制提高了扩散系数。 氧化层 B有限源扩散 氮化物 p-Si n-Si 氮化物 n-Si 氧化层 掺B CB1019 O2 I+B IB * 氧化阻滞扩散 锑扩散是以替位方式进行，氧化堆垛层错带来的自填隙硅填充了空位，减少了空位浓度。锑在氧化气氛中的扩散却被阻滞。 氮化物 n-Si p-Si 氧化层 氮化物 p-Si 氧化层 Sb有限源扩散 CB1019 掺Sb O2 * 横向扩散 横向扩散的线度是纵向扩散的0.75-0.85倍，浓度高时是纵向的0.65-0.7倍 * 衬底其它影响因素 与衬底材料、晶向及晶格完整性有关， 有D（100）D（111） 晶格缺欠越多，扩散速率也越大。 * 扩散设备与工艺 扩散设备多是炉丝加热的热壁式扩散炉。和氧化炉相类似。 根据扩散源的不同有三种扩散工艺：固态源扩散，液态源扩散，气态源扩散。 选择源必需满足固溶度、扩散系数要求。 选择好掩蔽膜。 * 固态源扩散 扩散方式 开管扩散 箱式扩散 涂源扩散 固态源 陶瓷片或粉体：BN、B2O3、Sb2O5、P2O5等 石英管 接排风 阀和流量计 载气 铂源舟 石英舟和硅片 开管固态源扩散系统 * 液态源扩散 液态源 POCl3、BBr3、B(CH3O)3 （TMB） 接排风 阀和流量计 载气 石英舟和硅片 石英管 温度控制池 源瓶和液相源 液相源扩散系统 * 微电子工艺 --定域掺杂工艺 掺杂之扩散工艺 * 本章重点 扩散机理：三种扩散机构 扩散方程：Fick定律，恒定源扩散（余误差分布），有限元扩散（高斯分布） 扩散系数：主要影响因素 扩散工艺：源、方法，工艺参数T，t；测量参数R□、Xj、Cs、Q参数 * 扩散 扩散是微电子工艺中最基本的平面工艺，在900-1200℃的高温，杂质（非杂质）气氛中，杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，又称热扩散。 目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型，电阻率，或形成PN结。 * 内容 杂质扩散机构 扩散系数与扩散方程 扩散杂质的分布 影响杂质分布的其他因素 设备与工艺 扩散工艺的发展 * 杂质扩散机构 扩散是物质内质点运动的基本方式，当温度高于绝对零度时，任何物系内的质点都在作热运动。 当物质内有梯度(化学位、浓度、应力梯度等)存在时，由于热运动而触发(导致)的质点定向迁移即所谓的扩散。因此，扩散是一种传质过程，宏观上表现出物质的定向迁移。 扩散是一种自然现象，是微观粒子热运动的形式，结果使其浓度趋于均匀。 * 扩散的微观机制 (a) 间隙式扩散（interstitial） (b) 替位式扩散（substitutional） 间隙扩散杂质：O，Au，Fe，Cu，Ni，Zn，Mg 替位扩散杂质：As， Al，Ga，Sb，Ge。 替位原子的运动一般是以近邻处有空位为前题 B，P，一般作为替代式扩散杂质，实际情况更复杂，包含了硅自间隙原子的作用，称填隙式或推填式扩散 * 固相扩散工艺 微电子工艺中的扩散，是杂质在晶体内的扩散，是固相扩散工艺。 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，主要有三种方式 间隙式扩散 替位式扩散