固体与半导体物理(第六章非平衡载流子）.pdf

第六章 非平衡载流子 6.1 非平衡载流子的注入和准费米能级 一.非平衡载流子的注入 T一定，无外界作用 热平衡状态 n 和p 一定 n p n2 0 0 0 0 i 有外界作用 非平衡状态 导带电子浓度 n n0 =+∆n 价带空穴浓度 p p 0 =+∆p 2 ∆n和∆p －非平衡载流子浓度 np ≠ni 产生非平衡载流子的方法： （1）电注入 （2 ）光注入 平衡时： n型 ∆n =∆p ∆n −非平衡多数载流子 n0 p0 ∆p −非平衡少数载流子 一般情况 ∆n n0 ∆p p 0 n ≈5.5×1015 cm−3 ≈ × 4 −3 T=300K n型硅 0 p 0 3.1 10 cm 10 −3 n n =+∆n ≈n p p =+∆p ≈∆p ∆n =∆p 10 cm 0 0 0 非平衡少数载流子在半导体器件中起重要作用 二.附加光电导 I I 0 σ q nµ q pµ q p(µ µ ) ∆ =∆ + ∆ =∆ + n p n p 三.非平衡载流子的寿命 1 τ －非子的复合几率 ∆p －非子浓 度 ∆p －非子的复合率 τ p p (t ) d∆ (t) ∆ − dt τ −tτ t τ ∆p τ (∆p )0 ∆ =∆ ( ) p (t ) ( p ) e 0 e 四.