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第3章 光电探测器 本章主要内容： 光电效应 常用光电器件 光电探测的物理效应 要探知一个客观事物的存在及其特性，一般都是通过测量对探测者所引起的某种效应来完成的。对光辐射(即光频电磁波)量的测量也是这样。 在光电子技术领域，光电探测器有它特有的含义。大多数光探测器都是把光辐射量转换成电量来实现对光辐射的探测的。即便直接转换量不是电量，通常也总是把非电量(如温度、体积等)在转换为电量来实施测量。 从这个意义上说，凡是把光辐射量转换为电量(电流或电压)的光探测器，都称为光电探测器。 很自然，了解光辐射对光电探测器产生的物理效应是了解光探测器工作的基础。 3.1光电探测器原理及特性 光电效应 热电效应 一、热电效应和光电效应概述 光电探测器的物理效应通常分为两大类：光电效应和热电效应。在每一大类中有可分为若干细目，如表所列。 表1 热电效应分类 表2 光电效应分类 二、热电效应和光电效应的区别 所谓光电效应，是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。 探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。 光子能量的大小，直接影响内部电子状态改变的大小。因为，光子能量是hν,h是普朗克常数，ν是光波频率。 所以，光电效应就对光波频率表现出选择性，在光子直接与电子相互作用的情况下，其响应速度一般比较快。 热电效应和光电效应完全不同。探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测器元件温度上升，温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其它物理性质发生变化。 所以，热电效应与单光子能量hν的大小没有直接关系。原则上，热电效应对光波频率没有选择性。 只是在红外波段上，材料吸收率高，热电效应也就越强烈，所以广泛用于对红外辐射的探测。 因为温度升高是热积累的作用，所以热电效应的响应速度一般比较慢，而且容易受环境温度变化的影响。 三、光电效应 1.光电发射效应 在光照下，物体向表面以外空间发射电子(即光电子)的现象，称为光电发射效应。 能产生光电发射效应的物体，称为光电发射体，在光电管中又称为光阴极。 著名的爱因斯坦方程描述了该效应的物理原理和产生条件。爱因斯坦方程是 式中 是电子离开发射体表面时的动能，m是电子质量，v是电子离开时的速度。hν是光子能量。 是光电发射体的功函数。 该式的物理意义是：如果发射体内的电子所吸收的光子的能量hν大于发射体的功函数的值，那么电子就能以相应的速度从发射体表面逸出。 光电发射效应发生的条件为： 用波长λ表示时有： 式中大于和小于表示电子逸出表面的速度大于零。等号则表示电子以零速度逸出，即静止在发射体表面上。 这里νc和λc分别称为产生光电发射的入射光波的截止频率和截止波长。 1、光电发射效应 注意到 则有 或 可见， 小的发射体才能对波长较长的光辐射产生光电发射效应。 2、光电导效应 光电导效应只发生在某些半导体材料中，金属没有光电导效应。 1.半导体材料的电导概念： 金属之所以导电，是由于金属原子形成晶体时产生了大量的自由电子。自由电子浓度n是个常量，不受外界因素影响。 半导体和金属的导电机构完全不同，在0K时，导电载流子浓度为零。在0K以上，由于热激发而不断产生热生载流子(电子和空穴)，它在扩散过程中又受到复合作用而消失。 在热平衡下，单位时间内热生载流子的产生数目正好等于因复合而消失的数目。 因此在导带和满带中维持着一个热平衡的电子浓度n和空穴浓度p，他们的平均寿命分别用 和 表示。无论何种半导体材料，下式一定成立，即 式中ni是响应温度下本征半导体中的本征热生载流子浓度。这说明，在n型或p型半导体中，一种浓度增大，另一种浓度就减少，但绝不会减少到零。 在外电场E的作用下，载流子产生飘移运动，漂移速度v和电场E之比定义为载流子迁移率μ,即有： 式中V是外电压，L是电压方向半导体的长度。载流子的漂移运动效果用半导体的电导率σ来描述，定义为 式中e是电子电荷量。如果半导体的截面积是A，则其电导(亦称为热平衡暗电导)G为 所以半导体的电阻Rd (亦称暗电阻)为: 式中ρ是其电阻率(Ω·cm)。 2.光电导的概念 : 光辐射照射外加电压的半导体。如果光波长λ满足如下条件，即： 式中Eg是禁带宽度，Ei是杂质能带宽度。那么光子将在其中发出新的载流子(电子和空穴)。这就使半导体中的载流子浓度在原来平衡值上增加了一个量 和 。 这个新增加的部分在半导体物理中叫非平衡载流子，我们现在称之为光生载流子。显然， 和 将使半导体的电导增加一个量 ，我们称之为光电导。 对本征情况，如果光辐射每秒钟产生的光电子—空穴对数