第3讲与集成电路原理课程有关的六个问题.ppt

与集成电路原理课程有关的六个问题 1. 集成电路工艺的发展 2. 集成电路中的元器件 3. 电路集成 4. 版图基本概念 5. 封装 6. 微电子技术新进展 1. 集成电路工艺的发展 摩尔定律 摩尔定律 (引自Intel网站) 集成电路的复杂度每隔18个月翻一番 自从1965年被提出，摩尔定律至今仍然有效 特征尺寸的发展 最新CMOS器件尺寸 90nm工艺 2003 主要半导体纯代工企业 早期平面工艺 平面工艺流程 (Fairchild, Late 1950s) 基本的光刻流程 光刻是今天芯片制造中的核心环节 集成电路工艺 光刻工艺使得在一个晶圆上集成多个器件成为可能 六十年代的集成电路工艺 1960年代的典型工艺（pn结隔离技术） 双极型npn晶体管和电阻是主要器件 七十年代的集成电路工艺(LOCOS) 七十年代的典型工艺 增强型NMOS(EMOS)和耗尽型NMOS(DMOS) 晶体管是主要器件 八十年代的集成电路工艺(CMOS) 八十年代的典型工艺 N阱硅栅CMOS电路占主导地位 现代集成电路工艺 现代微处理器芯片的剖面照片 注意硅片上的多层金属连线，晶体管在照片底部 完全洁净室 HEPA过滤器（ High Efficiency Particulate Air Filter ）安装在天花板中 从地板上回收空气 保持持续的洁净空气流 工作台顶部带有贯通穿孔，空气可以无阻碍流过 洁净室布局 氧化系统的组成 反应炉 温度控制系统 气源柜 晶圆清洗站 装片站 工艺自动化 器件绝缘体 栅氧化层(Gate Oxide) MOS管栅区的薄氧化层 电容电介质 电容两极之间的SiO2电介质 如MiM电容、PiP电容等 投影式光刻机 光刻工艺概述 第一次图形转移——从掩模到光刻胶层 第二次图形转移——从光刻胶层到晶圆 对准 对准标记 化学机械研磨 化学机械研磨，CMP 化学机械抛光，化学机械平整化 湿法刻蚀用于特征尺寸大于3μm的产品 反应离子刻蚀 RIE Reactive Ion Etching, RIE 结合等离子体刻蚀和离子束刻蚀的优点 用于最先进生产线中的刻蚀系统 刻蚀Si层上的SiO2具有更高的选择性 扩散工艺步骤 预淀积 Predeposition, Predep 向衬底引入所需剂量的掺杂物 推进 Drive-In 重新分布掺杂物以获得所需的结深和表面浓度 离子注入系统 离子注入系统框图 离子注入机 主要淀积工艺 化学气相淀积 Chemical Vapor Deposition, CVD APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD, … 物理气相淀积 Physical Vapor Deposition, PVD 蒸发、溅射 其他外延工艺 分子束外延, MBE 离子束外延, IBE 超高真空化学气相淀积Ultra-High Vacuum CVD, UHV-CVD 超高真空化学气相淀积Ultra-High Vacuum CVD, UHV-CVD 气相外延 气相外延，Vapor Phase Epitaxy, VPE 可以淀积复合材料，如GaAs 灯丝蒸发 灯丝蒸发 难以精确控制 源材料中的污染物或灯丝元素也会蒸发并淀积 难以蒸发淀积合金 电子束蒸发 电子束蒸发 较低的污染水平 相对容易控制 不便于合金蒸发 主要薄膜种类的生长工艺 (1) 主要薄膜种类的生长工艺 (2) 2. 集成电路中的元器件 电阻 阱电阻 阱电阻，Well Resistor 扩散电阻 扩散电阻，Diffused Resistor 扩散致窄电阻 扩散致窄电阻，Pinched Resistor 多晶硅电阻 多晶硅电阻，Polysilicon Resistor 金属电阻 金属电阻，Metal Resistor 电容 k 电介质的介电常数 (SiO2: 3.9) ε0 真空电容率 (8.85pF/m) A 电容面积 T 电介质厚度 MOS电容 MOS电容 MOS Capacitor PiP电容和MiM电容 PiP电容 Poly-Insulator-Poly Capacitor 电感 电感 二极管 二极管 Diode Schottky 二极管（SBD） Schottky 二极管 纵向PNP管 纵向PNP管 Vertical PNP BJT VPNP 横向PNP管 横向PNP管 Lateral PNP BJT LPNP NPN管 NPN管 PMOS管 PMOS管 NMOS管 NMOS管 VMOS V凹槽型MOS V-Groove MOS, VMOS 3. 电路集成 电路类型 双极型电路 MOS电路 Bi-CMOS电路 双极型电路 pn结隔离双极型集成电路结构 CMOS电路 CMOS倒相器电路结构图 Bi-CMO