2011红外技术6概要.pptVIP

二次发射系数：δ＝n2/n1，δ与材料有关，与一次电子的动能或极间电压有关。 二次发射极 设：每极的倍增率为δ，若有n极，则光电倍增管的电流倍增率为δn。 光电倍增极一般用锑铯涂料或银镁合金涂料 倍增极数常为4-14,δ值为3-6，管内电子增益可达103-107以上。 光电探测器的特点： 1.响应速度快10-9; 2.存在一个长波限，即截至波长； （响应只延伸到近红外的一个小范围） 2.光电导探测器 （1）内光电效应 光照在半导体材料上，材料中处于价带的电子吸收光子能量，通过禁带跃入导带，使导带内电子和价带内空穴增多，即激发出光生电子－空穴对使半导体材料产生光电效应 ※ 产生内光电效应，光子能量必须大于材料 的禁带宽度。 内光电效应的临界波长： 内光电效应按其工作原理可分为： 光电导效应、光生伏特效应、光磁电效应 本征激发：价电子从外界获得能量挣脱束缚 激发称为导电电子的过程。 光电导效应：当光照射在某些材料表面时， 能使材料的电导率增加。 光电导探测器：利用半导体光电导效应制 成的探测器。 材料： 多晶薄膜型常用：硫化铅 (1-3μm) 硒化铅 (3-5 μ m) 单晶型 本征型：锑化铟 (3-5 μm)、碲镉汞 掺杂型： （2）本征型光电导探测器 由纯净半导体材料制成，导电机理是一种本征激发。 截止波长 由于已知的各种单晶和化合物半导体在室温时都有，Eg0.18ev，截止波长7μm。 （2）本征型光电导探测器 为探测7 μm以上红外辐射 杂质半导体：在纯净半导体中掺入少量其它 杂质。 受主杂质（P型杂质）： 因杂质能级恰好靠近主体材料价带的顶部，所以从价带顶跃迁到受主能级Ep只需很小的能量Ei。 施主杂质（n型杂质）： 杂质中电子当得到外界能量，就可以挣脱杂质原子的束缚，激发到导带形成导电电子。 掺杂质探测器：由于电离能很小，室温下的热激发就能使受主能级完全被填满，所以不能在室温下工作，必须制冷。 光电导探测器在电路中的作用——相当于一个可变电阻器，它需要外加偏压电源。 光电导探测器（PC器件）有—— 光敏电阻、光敏二极管、三极管 光敏二极管、三极管使用时必须注意： 3.光生伏特探测器 光生伏特效应：当光照射在某些材料的 P-n结上时，在结区能产生一个附加的电动势，这个附加的电动势叫光生电动势，这个现象叫光生伏特效应。 光生伏特探测器：利用光生伏特效应制成的探测器称为PV器件。 * * 第六章 红外探测器 红外探测器的作用： 把红外系统接收到的辐射能转换成另一种便于测量的能量形式。 （多数情况下转换成电能） 红外探测器是将红外辐射能转换成电能的光敏器件，是红外系统的重要组成部分。 本章主要介绍各种红外探测器的概况 1800年，F.W.赫歇耳在太阳光谱中发现了红外辐射的存在。使用的水银温度计--最原始红外探测器。 1830年，L.诺比利利用当时新发现的温差电效应，制成了一种以半金属铋和锑为温差电偶的热敏型探测器。其后，又从单个温差电偶发展成多个电偶串联的温差电堆。 1880年，S.P.兰利利用金属细丝的电阻随温度变化的特性制成另一种热敏型红外探测器,称为测辐射热计。 红外探测器的发展 1947年,M.J.E.高莱发明一种利用气体热膨胀制成的气动型红外探测器（又称高莱管）。 60年代中期，出现了热释电型探测器。它是一种热敏型探测器，但其工作原理与前三种热敏型红外探测器有根本的区别。 40年代，用半导体材料制作温差电型红外探测器和测辐射热计，使这两种探测器的性能比原来使用半金属或金属时得到很大的改进。半导体的测辐射热计又称热敏电阻型红外探测器。 1943年出现光电型红外探测器光电管，利用外光电效应制成。以 Cs-O-Ag为阴极材料，可以探测到 1.3微米。 利用半导体的内光电效应制成的红外探测器，对红外技术的发展起了重要的作用。内光电效应分光电导和光生伏特效应制成光导型红外探测器和光伏型红外探测器 光子探测器 §6.1 常见红外探测器 按探测机理不同分类：热探测器 光子探测器 一、热探测器 热探测器：利用红外辐射引起探测器的温度变化，使有关物理参数发生相应变化，通过测量确定红外探测器吸收的辐射能。 热释电型 热释