第1章半导体与pn结-1201338.pptx

半导体激光器分类 　 半导体激光器的种类很多，下图进行了简单示意。半导体激光器可以根据有源层材料、发射波长、器件结构、输出功率和应用领域等不同方式进行划分，分类方式灵活，相互交错。;1、光源：半导体LD，特点：单色性好，用于长距离传输；LED特点：单色性差，传输距离短。 2、光纤通信采用半导体光源的原因？ （1）半导体光源的发光波长适合在光纤的低损耗窗口中传输。 （2）电流注入发光从而可以进行强度调制。 （3）半导体光源体积小，发光面积可以与光纤纤芯相比从而提高与光纤的耦合效率。 ;（4）可靠性强，常温下可连续工作。 （5）响应速度快，适合于高速率、大容量的光纤通信系统。 （6）可采用半导体集成技术批量生产。;4;5;6;7;8;9;10;11;12;13;14;15;16;17; 金刚石结构;19;20;21;22;23;24;25;26;27;28;29;30;31;32;33;34; 现代电子学中，用得最多的半导体是硅（+14）和锗（+32），它们的最外层电子（价电子）都是四个。;;;;;;（1）半导体的禁带很窄，满带中的电子较易进入导带。导带中的电子在外场作用下运动而参与导电。;46;47;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。;49;50;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。; 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。;;注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大，这是半导体的一大特点。;（1）本征半导体 纯净的半导体，如硅、锗等。 半导体禁带宽度窄、在外场的作用下, 导带中的电子、满带中的空穴都可参与导电。（本征导电性。见下图）;56;57;58;59;60;61;62;63;64;65;66;67; ;69;70;71;72;73;74;75;76;77;78;80;对一系统而言, EF位置较高，有较多的能量较高的量子态上有电子。 ;玻尔兹曼分布函数;; 显然,在一定??度T，电子占据E的的概率由 e-E/k0T定-----玻耳兹曼统计分布函数 fB(E)称为电子的玻耳兹曼分布函数;87;当（EF-E）》k0T时，;; E增大，f(E)减小，导带中绝大多数电子分布在导带底附近; 价带中的量子态，被空穴占据的概率，一般满足1-f(E)《1。 价带中的空穴分布服从空穴的玻耳兹曼他分布函数。 E增大，1-f（E）增大，价带中绝大多数空穴集中分布在价带顶附近。;服从玻耳兹曼统计律的电子系统-----非简并性系统 ;说明: 1.(13)(14)式是非简并半导体导带电子浓度和价带空穴浓度的最基本的表示式,成立的条件是:;94;95;96;下表给出了室温下硅、锗、砷化镓的本征载流子浓度。;98;99;100;101;102;103;104;105;106;107; 在实际的半导体材料中,总是不可避免地存在有杂质和各 种类型的缺陷.特别是在半导体的研究和应用中,常常有意识 的加入适当的杂质.这些杂质和缺陷产生的附加势场,有可能 使电子和空穴束缚在杂质和缺陷的周围,产生局域化的电子态, 在禁带中引入相应的杂质和缺陷能级.;（2）替位式→杂质原子取代半导体的元素或离子的格点位置。;110;111;112;113;114;115;116;118;119;120;121;122;导带 EC;;125;126;127;128;129;130;131;132;133;134;;136;137;;141;142;143;144;145;146;147;148;149;150;151;152;153;154;155;156;157;158;159;160;161;162;163;164;165;166;167;168;169;170;171;172;173;174;175;176;177;178;179;180;181;182;183