功率ＰＩＮ二极管ＰＳｐｉｃｅ子电路模型.docVIP

功率ＰＩＮ二极管ＰＳｐｉｃｅ子电路模型 　　摘 要：提出一种改进的PIN二极管子电路模型。该模型能够反映PIN二极管的瞬态开关特性，将基区电导调制效应考虑在内。通过PSpice软件瞬态仿真PIN二极管的正向直流、反向恢复特性。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真，仿真结果表明运用新材料对二极管开关性能有显著提高。 　　关键词：PIN二极管；电路模型PSpice仿真；碳化硅；瞬态开关特性 　　中图分类号：TN710 文献标识码：B 　　文章编号：1004-373X(2008)06-141-03 　　A New Power PIN Diode PSpice Subcircuit Model 　　SHENG Dingyi，YANG Geng，TAN Jichun，YANG Yuchuan 　　(Science School，National University of Defense Technology，Changsha，410073，China) 　　Abstract：An improved PIN diode PSpice subcircuit model is proposed in this paper.The model takes into consideration of the conductivity modulation in the base and is able to accurately simulate switching behavior of PIN diodes.PSpice simulation results of PIN diode are presented，including forward V-A characteristic and reverse recovery.The subcircuit is also used to model a new SiC PIN diode.Simulation results indicate that using SiC PIN diodes can greatly improve the switching performance. 　　Keywords：PIN diode；PSpice simulation；SiC；transient switching characteristics 　　 　　1 引 言 　　 　　二极管在电子技术领域是一种必不可少的器件，但是对电路开发者而言缺少一个这样的模型，该模型要能准确反映出二极管的瞬态开关特性和高频电特性。目前电路模拟广泛使用的SPice程序中，二极管模型由导通进入关断状态时的特性是跳变曲线，也没有考虑他的正向恢复特性，不能描述其开关特性。 　　多年来，国内外的研究人员多侧重于电力电子应用的PIN二极管的研究[1-4]，对高开关速度、高击穿电压、宽工作频带的PIN管的研究较少。本文在文献[5]的基础上，提出一种改进的PIN管子电路模型，能够仿真PIN二极管的瞬态开关特性，并且探索将这种子电路模型应用于对第三代宽带隙半导体材料碳化硅(SiC)PIN管的建模。对SiC材料PIN管建模的研究在国内还未见相关报道。 　　 　　2 电路模型 　　 　　对于一个基区宽度为ω，掺N型杂质的PIN二极管，结构如图1所示，两边的PN结jPI和jIN可以用普通的PN结二极管模拟，关键是中间的I层。I层电荷的存储产生电导调制效应，他决定了PIN二极管开关的尖锋泄漏、插入损耗和恢复时间等诸多瞬态特性。 　　图1 PIN二极管结构 　　 　　式(2)中??Z0=τ/(1+sτ)；T0=x2m/Dα；τ代表载流子复合寿命；xm计算中可取ω/2。式(2)所描述的I层电荷存储关系可以用图2所示电路网络来模拟。电压源Q0驱动一个梯型RC网络，输出即为二极管电流I。?? 　　图2 I层等效电路\[6\] 　　完整的PIN二极管子电路模型还包括用来模拟结jPI和jIN的理想二极管，以及由封装引入的寄生参量引线电感Lbond和管壳封装电容Cpack。子电路如图3所示。 　　 　　图3 PIN二极管子电路模型 　　 　　3 模型的验证 　　 　　为了验证模型的准确性，这里选取AI公司的PIN二极管SMP1352-005进行建模仿真，他是一种表面封装的双管反向并联PIN管，专为大信号开关应用设计，可以适用在从10 MHz到超过2 GHz的宽频带范围，其主要技术参数为：I层厚度50 μm，载流子寿命1.5 μs，结电容0.3 pF。由厂家提供的数据手册抽取模型参数，二极管PSpice子电路模型主要参数见表1。 　　表1 PIN二极管子电路模型中部分模型参数 　　利