[工学]第07讲：第4章 半导体二极管、三极管、场效应管1.ppt

电地暖 第07讲：第4章 半导体二极管、三极管、场效应管(1) 教学回顾 教学内容 教学要求 4.1 PN结 课堂小结 PN结的特性是研究半导体器件的基础； 半导体二极管的种类很多，本节只介绍普通二极管，其他二极管的分析方法基本相同，有兴趣的同学请参阅有关文献。 作业题 预习内容 * * * * 第1章 直流电路 习题1-1 1-2 4.1 PN结 4.2 半导体二极管 PN结的特性： 单向导电性 伏安特性 反向击穿 电容效应 类型 伏安特性 主要参数 等效电路及应用 稳压二极管 了解半导体基本知识 理解PN结的特性 掌握半导体二极管的特性 会计算和分析含有二极管的电路 　什么叫半导体？ 　　物质按其导电能力可分为导体、半导体和绝缘体。 　　而把导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等。 4.1.1 半导体 （1）热敏性－制成各种热敏元件 （2）光敏性－制成各种光敏元件 （3）掺杂性－制成各种晶体管器件 半导体的三个独特性质: 　　一些半导体对温度的反应很灵敏，其电阻率随着温度的上升而明显地下降，利用这种特性很容易制成各种热敏元件，如热敏电阻、温度传感器等。 　　有些半导体的电阻率随着光照的增强而明显地下降，利用这种特性很容易制成光敏元件，如光敏电阻和光电管等。 　　半导体的电阻率受掺入的“杂质”影响极大，在半导体中即使掺入的杂质十分微量，也能使其电阻率大大地下降，利用这种独特的性质可以制成各种各样的晶体管器件。 4.1 PN结 4.1.4 PN结的特性 1.PN结的单向导电性 PN结外加正向电压时的特点： ★PN结处于正向导通状态，正向电流ID较大，正向电阻很小 4.1 PN结 PN结外加反向电压时的特点： ★PN结处于反向截止状态，反向电流IS较小，反向电阻很大 2.PN结的伏安特性 3.PN结的反向击穿 当PN结上的反向电压增大到某个数值时，反向电流急剧增大的现象。 4.PN结的电容效应（略） 4.1 PN结 反向击穿 二极管是由PN结加上电极引线和管壳构成的。 (1)点接触型二极管(a) (2)面接触型二极管(b) (3)硅平面型二极管(c) 按管子的结构分： 按材料分：　　 (1)硅二极管 (2)锗二极管 4.2 半导体二极管 二极管按结构分三大类： (1) 点接触型二极管 4.2 半导体二极管 PN结面积小，结电容小，允许通过的电流小 适用于高频电路的检波或小电流整流 (3) 平面型二极管 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用 于大电流整流电路。 用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小 半导体二极管的电路符号与基本结构 　半导体二极管内部就是一个PN结，将其封装并接出两个引出端，从 P 区引出的端称为阳极（正极），从 N 区引出的端称为阴极（负极）。电路符号如图所示。 阳极 阴极 D 二极管电路符号 　　根据PN结的单向导电性，二极管只有当阳极电位高于阴极电位时，才能按箭头方向导通电流。 符号箭头指示方向为正，色点则表示该端为正极。 为了防止使用时极性接错，管壳上标有 “ ” 符号或色点， 　　如果二极管极性接错，不仅造成电路无法正常工作，还会烧坏二极管及电路中其他元件。 1. 正向特性 伏安曲线 o uD UBR iD + – ID U Uon B ? A ? C ? D ? OD段： 二极管电流较小。 CD段：当正向电压加到一定值时， U≥ Uon时，二极管导通 。 Uon（死区电压、开启电压）：硅0.5V 锗0.1V 导通后的正向压降：硅0.6～1V 锗0.2～0.5V 4.2.2 二极管的伏安特性　I = f (V) 2. 反向特性 BA段：当反向电压加到一定值时，PN结产生击穿现象， 　　　电流迅速增大。 伏安曲线 o uD UBR iD - + ID U Uon B ? A ? C ? D ? OB段： I = ?IS ，反向电阻很大。 二极管的伏安曲线不是直线，说明二极管是非线性元件。 4.2.3 二极管的伏安特性数据 伏安曲线 o U(V) UB ID I(mA) + – ID U Uon C ? D ? A ? B ? 0.2V 0.7V 典型电压 0.2V~0.5V 0.6V~1V 导通电压 0.1V 0.5V 死区电压 锗管 硅管 3.反向击穿特性 外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为击穿（击穿时，二极管失去单向导电性）。 对应的电压称为击穿电压。 uD iD 0 正向导通 反向截止 击穿 0.5 锗 硅 0.2 反向饱和电流 反向曲线 正向曲线 4.2.3 半导体二极管主要参数 uD