第7章 基本放大电路-总结1.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第1章 上页 下页 返回 第七章结构 主要内容： 学习思路： 学习静态和动态分析法 难点： 放大倍数 输入电阻 输出电阻 器件参数对放大电路性能的影响。 静态 动态 学习基本放大电路的分析方法。 重点： 三极管的工作原理 放大电路静态、动态分析 基本放大电路分析计算方法 基本放大器的组成原理 估算法 图解法 工作点问题 微变法 图解法 三极管 NPN型 PNP型 B 基极（Base） 发射结 集电结 集电极 发射极 第7章 上页 下页 返回 一、基本组成结构、图形符号、型号 C P N N N P P E E B 发射区 集电区 基区 基区 发射极（Emitter） 集电结(Jc) 发射结(Je) 集电区 发射区 集电极（Collector） C 基极 B E T C NPN B E T C PNP 内部结构 三层半导体两个PN结 型号：3DG6 （2）符号： （3）各区特点: 发射区的掺杂浓度大。 集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。 基区要制造得浓度低，且很薄。 （其厚度一般在几个微米至几十个微米） 发射极的箭头代表发射极正向电流的实际方向。（P—N） 结构特 点小结 （1）双极型：两种载流子参与导电。 C E C E 二、工作原理 工作状态 放大 饱和 截止 e结正偏 c结反偏 e结正偏 c结正偏 e结反偏 C B E cJ eJ N N P 三种组态： A、共射极接法:射极作为公共电极，用CE表示； b.共基极接法:基极作为公共电极，用CB表示。 C.共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 外部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 RC B C E 共发射极放大电路 第7章 上页 下页 返回 1、晶体管电流放大原理 内部条件： 各区域的浓度差别 各区域的面积差别 （1）条件： （2）电流分配与放大原理 PNP 管： UBE0 UBC0 即VCVBVE C E B NPN 管： UBE0 UBC0 即 VCVBVE mA mA μA （2）三极管内栽流子传输过程 UBB RB IB IC UCC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 第2章 上页 下页 返回 （2）三极管内栽流子传输过程 UBB RB IB IC UCC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 第2章 上页 下页 返回 ICBO 忽略少子运动 ICE IBE 由上所述可知: 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： ICIB 第2章 上页 下页 返回 当由于外加电压或电阻改变而引起基极电流IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用 △IC△IB 直流电流放大系数 （忽略少子运动） 交流电流放大系数 电流控制关系 电流分配关系 三极管具有放大功能必须满足的条件： （1）.内部条件: 发射区浓度高，基区浓度低且薄。 （2）.外部条件:发射结加正向电压,集电结加反向电压。 （1）.三极管的发射区向基区扩散电子; （2）.通过发射结位垒的控制和基区的传送; （3）.最后由集电极收集电子。 结 论 满足上述条件，则在三极管内部完成如下过程： 放大原理小结: 三极管是一个电流控制元件，具有电流放大作用。 电流控制关系 电流分配关系 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 外部条件： 发射结正向偏置 集电结正向偏置 RC B C E 共发射极放大电路 第7章 上页 下页 返回 2、晶体管饱和工作状态 （1）条件： （2）电压、电流关系 NPN 管： UBE0 UBC 0 即VE VB VC 饱和相当电子开关闭和状态。 判断三极管饱和状态的重要依据 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 外部条件： 发射结反向偏置 集电结反向偏置 RC B C E 共发射极放大电路 第7章 上页 下页 返回 3、晶体管截止工作状态 （1）条件： （2）电压、电流关系 NPN