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版图讲座 2011-9-13 俯视图与剖面图对比 N阱 P注入 有源区 金属 N注入 多晶硅 接触孔 NAND NOR OAI AOI 部分特殊单元的设计方法 1. 并联MOS 管的版图 对于给定的工艺，每一条栅的长度是受到限制的，不能超过某个值。大MOS管可以看作许多个小MOS 管的并联。 （a） （c） （b） （d） 串联MOS 管的版图 当MOS 管的栅长过大 时，栅通常是折叠式的。 （a） （b） （c） 3. 缓冲驱动的版图 沟宽大的MOS 管采用并联形式 反相器： 或非门： 4. 减小MOS 管的结电容，提高晶体管的工作速度 晶体管的速度强烈地依赖于MOS 管的源区/漏区的结电容，因此通常用减小MOS 管的源区/漏区结电容的方法，来提高晶体管的工作速度。 MOS 管的源区/漏区的结电容可按下式计算： Ctotal =Cja × （ab）+ Cjp ×（2a+2b） （1） 式中：Cja 是单位面积（ μm 2 ）的结电容； Cjp 是单位长度（ μm ）的周边电容； a 是扩散区的宽度 μm ）； b 是扩散区的长度（ μm ）。 由于沟道側壁电容与源区/漏区的周边电容相比，是可以忽略的。因此式（1）可写成： Ctotal = Cja × （ab）+ Cjp ×（2a+b） （2） 在图（ b ） 中，MOS 管共享漏区，栅被分割成两段，漏区的两边是沟道结（可以忽略），因此漏区的总电容可按下式计算： Ctotal = Cja × （ab ÷2 ）+ Cjp ×（2a） （3） 而图（a）中Ctotal = Cja × （ab）+ Cjp ×（2a+b） （2） 通过计算可知，如果把MOS 管的栅分割成数段，通常能把MOS 管的结电容减小很多。 （ b ） （a） 5. 倒比管 图（ a ） 是W/L 比值比较大时的倒比管版图。 图（ b ）是把有源区画成曲折的形状，每段沟长为L/3 W/L 比值较小时的倒比管版图。 图（ c ）是最节省版图面积的一种画法。 图（ a ） 图（ b ） 图（ c ） 6. 其他的MOS 管版图 1）指状栅MOS 管 指状栅MOS 管的有效栅由多段栅组成，如图（ a ）所示。这种MOS 管的结构特点是有相对小的电容，提高了管子的工作速度。 2）U 形栅MOS 管 U 形栅MOS 管的结电容最小，如图（b ）所示，因此可用于高速版图中。 图（ a ） 图（b ） 3）曲栅MOS 管 曲栅MOS 管的有效栅区为蛇形式样，可节省版图面积，如图（ c ） 所示。 4）U 形曲栅MOS 管 U 形曲栅MOS 管是图（b ）与图（ c ）的组合形式，如图（ d ）所示。这种MOS 管结构可节省版图面积，用于MOS 管工作速度与版图面积均考虑的场合。 图（ c ） 图（ d ） 7. 缩小MOS 管版图面积的方法 采用“之”字形栅来缩小MOS 管版图的面积，是行之有效的方法。如图所示。图（ a ）采用直栅MOS 管结构，版图的面积最大，但是接触孔最多，特性较好。 图（ b ）与图 （ c ）是采用“之”字形栅来缩小MOS 管版图面积的结构。图（ b ）的版图面积比图（ c ）更小，但是接触孔也少，特性稍差。 图（ a ） 图（ b ） 图（ c ） 单元模板 标准单元模板示意图 标准单元模板布局规范： 模板中定义的专门布线通道，实际上是没有的。 金属层1 用作水平布线，金属层2 用作纵向布线。尽管金属层1 通道是灵活的（可水平或纵向），但金属层2 在单元内始终要尽可能是纵向的，这可以减少与I/O 端子连接的金属层2 通道的阻塞。 N 扩底边与地线顶边对齐。同样，P 扩顶边与电源线底边对齐。 衬底接触孔和阱接触孔要尽可能的多。 减小扩散孔的尺寸会增加源/漏电阻，会影响电路的性能。 除了电源/地线外，全部单元几何图形都放在边框线内。 使用金属层3， 主要是为了