材料化学第六章第四节微电子材料与芯片.pptVIP

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2018-03-09 发布于江西
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材料化学第六章第四节微电子材料与芯片.ppt

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材料化学第六章第四节微电子材料与芯片

第六章电子与微电子;1、微电子芯片发展概况 ;无标题;集成电路技术的高速发展 ;当今应用微电子;微电子材料与生物医学之间有着非;集成电路(Integrated;封装好的集成电路;808080868028680;1947年12月16日：威廉·;1968年7月：罗伯特·诺伊斯;1993年：英特尔奔腾处理器问;2006年7月27日：英特尔双;其主要特点：特征尺寸越来越小;基于介观和量子物理基础的半导体;年份1997199920012;双极集成电路：主要由双极晶体管;NMOS晶体管结构示意图0电压;晶体管工作原理;衬底材料栅结构材料存储电容材;理论上，初期所形成的经典或半经;隧穿效应SiO2的性质栅介质层;1974年由Dennard提出;V律)保持电源电压Vds和阈值;CE律和CV律的折中，目前采用;短沟道效应则是由于线宽缩小和沟;泄漏问题电路特征线宽在0.13;CMOS结构;栅电极材料衬底材料栅绝缘介质材;半导体最主要的衬底材料就是硅 ;氮化物半导体GaN 宽带隙高;绝缘层上的硅SOI是指在普通单;SOI(绝缘衬底上的硅)技术S;在硅衬底之上，生成一层其原子大;二、栅结构材料栅结构是CMOS;栅绝缘介质致密且缺陷少。漏;阻挡离子注入与扩散，作为罩具(;栅绝缘介质器件尺寸缩小，导致;传统的栅结构重掺杂多晶硅S;超薄栅氧化层GSD直接隧穿的泄;等效栅介质层的总厚度： Tox;随着器件缩小至亚50纳米寻求介;高介电常数材料隧穿电流的限制使;电极材料串联电阻小和寄生效应小;多晶硅在过去二十年是制造MOS;要解决上述问题，金属栅极是最好;金属栅极可以消除耗尽区。关键的;英特尔率先采用高k栅介质和金属;在硅基板上形成高K栅极电介质的;基于铪的这种High-K栅介质;谢谢观看！