[高等教育]S2 光电探测器件 05.pptVIP

2.4.3 光电池 * ⑨ 光电池电流输出情况下的典型电路 * 2.4.3 光电池 ⑩ 光电池交流检测电路 输入光照度为： 回路方程 直流通路 * 2.4.3 光电池 ⑩ 光电池交流检测电路 静态工作点：通过原点作直流负载线，与P=P0交点Q，斜率 * 根据交流通路确定动态负载线和工作区域 2.4.3 光电池 ⑩ 光电池交流检测电路 交流通路 * 与最大输入光功率P0+Pm 对应的曲线相交于M点。 um是与正弦输入光照度对应的输出电压峰值. M点的电压um应满足： 2.4.3 光电池 交流负载线：过Q点，斜率 ⑩ 光电池交流检测电路 M um * 2.4.3 光电池 ⑩ 光电池交流检测电路 计算负载RL上的输出电压uL、电流iL和负载功率PL 由图可知: 输出负载RL上的功率值PL为: * 2.4.3 光电池 ⑩ 光电池交流检测电路 计算最大功率输出时负载RL上的输出电压umax、电流imax和负载功率Pmax 将PL对GL求微分，可得最大功率输出条件： 得最大功率输出时 : （有效值） （峰值） （峰值） * 2.4.3 光电池 ⑩ 光电池交流检测电路 计算最大功率输出时直流偏置电阻Rb 在Q点处有 ： * 例 硅光电池2CR31。在100lx光照下 uOC=400mV, iSC=30μA, 求 最大功率线性输出时 解：画出工作电路和特性曲线： 若输入光照度 2.4.3 光电池 * (1)计算uM 最大照度： 2.4.3 光电池 * * (2)计算直流偏置电阻Rb 或 * 2.4.3 光电池 * (3)计算输出电信号： 2.4.3 光电池 * Click to edit company slogan . LOGO C2 光电探测器件 理学院 宋旸 * 2 光电探测器件 2.1 光电探测器的物理效应 2.2 光电探测器的性能参数 2.3 外光电效应型光电探测器 2.4 内光电效应型光电探测器 2.5 固体成像器件 2.6 光电探测光源 * 内光电效应型探测器 4 2 光电探测器件 * 2.4 内光电效应型光电探测器 2.4.1 光电导型光探测器 ? 光敏电阻 2.4.2 pn结光伏探测器 2.4.3 光电池 2.4.4 光电二极管与光电三极管 2.4.5 特殊结型光电二极管 * 2.4.2 pn结光伏探测器 利用半导体结光伏效应制成的器件称为光伏器件，也称结型光电器件。 光子 电极 电极 耗尽层 SiO 2 p + n 入射光照射PN结，激发电子空穴对。 在内建电场作用下，光生电子移向N区，光生空穴移向P区。 光生电荷在PN结附近积累产生一个与内建电场相反的光生电场。 若光照保持不变，积累过程达到动态平衡，则给出一个和光照强度相应的电动势。 * 2.4.2 pn结光伏探测器 与光电导的比较 敏感区不同：光电导是匀质型，只要光能到达的部位就会产生光生电导率变化的现象。光生伏特效应仅在结区附近产生。 极性不同：光电导是匀质型探测器，没有极性，工作时必须外加电压；结型探测器有确定的正负极，没有外加电压也能产生光电信号。（光电池）。 时间特性不同：匀质型探测器，时间特性依赖于光生载流子的产生和复合，驰豫时间比较长。光伏特效应中，时间特性取决于载流子的漂移运动，距离短，载流子数目小，时间响应较快。 增益不同：光生伏特效应能够产生载流子的雪崩现象，具有载流子的控制放大功能 (光电三极管)。 * 2.4.2 pn结光伏探测器 典型器件 光电池、光电二极管、光电晶体管、光电场效应管、PIN管、雪崩光电二极管、光可控硅、 阵列式光电器件、象限式光电器件、位置敏感探测器（PSD）、光电耦合器件 * 2.4.2 pn结光伏探测器 PN结光伏探测器就等效为一个普通二极管和一个恒流源(光电流源)的并联，如图 (b)所示。工作模式则由外偏压回路决定。 i u i iD * 2.4.2 pn结光伏探测器 在零偏压时，光伏工作模式 当外回路采用反偏压V时，即外加P端为负n端为正的电压时，光导工作模式。 u i iD V * 2.4.2 pn结光伏探测器 普通二极管的伏安特性为 光伏探测器的总伏安特性应为 和 之和 i是流过探测器的总电流，e是电子电荷，u是探测器两端电压，kB是玻耳兹曼常数，T是器件的绝对温度。把上式中i和u为纵横坐标作成曲线，就是光伏探测器的伏安特性曲线。 u i iD * 2.4.2 pn结光伏探测器 i u 第一象限是正偏压状态，iD本来就很大，所以光电流不起重要作用。作为光电探测器，工作在这一区域没有意义。 第三象限是反偏压状态。这时iD=-iS0，它是普通二极管中的反向饱和电流，这时的光电流(等于i-iS0)是流过探测器的主要电流，这对应