如何利用ＩＣＥ１ＰＣＳ０１／０２设计低成本的ＰＦＣ.docVIP

如何利用ＩＣＥ１ＰＣＳ０１／０２设计低成本的ＰＦＣ 　　作者：Ｌｕｏ　Ｊｕｎｙａｎｇ　Ｊｅｏｈ　Ｍｅｎｇ　Ｋｉａｔ 　　ICElPCSOI／02是工作在连续导通模式(CCM)下的PFC控制器，是根据一个新的控制方法而开发出的。与传统的PFC解决方案相比，ICElPCSOI／02不需要直接采样输入交流正弦信号作参考。此外，它还采用了平均电流控制技术来得到高功率因数。图1为ICElPCS01和ICElPCS02的管脚布局图。 　　从图中可以看出，除管脚4外，ICElPCS02的管脚与ICElPCS01完全相同。在ICElPCS01中，管脚4被用来设置开关频率。但在ICElPCS02中，开关频率被内部振荡器固定在65kHz，因此管脚4能够被用来进行交流欠压信号的探测。图2和图3分别为典型的ICElPCS01和ICEIPCS02应用电路。 　　 　　带有ICElPCSOI／02的升压型PFC的设计 　　 　　?规格目标 　　表1列出了本设计需要的系统相关参数值。在整个输入电压范围内，额定输出功率Pout的效率为90％以上。 　　 　　?功率MOSFET和栅驱动电路 　　由于电路工作在开关模式下，因此仅当MOSFET导通时产生损耗。当交流输入的电压(RMS)最小时，工作在CCM模式下的BOOST电路中的晶体管的占空比为： 　　 　　由于在一个系统中，RMS值与DC值产生相同的效果，因此能够为RMS值计算出一个典型的占空比。这样，当结温为125℃时，工作在CCM模式下的MOSFET的导通损耗为： 　　 　　MOSFET的开关损耗可以用下式来估算： 　　 　　其中，Eon和Eoff为导通和关断时的能量损耗，其具体的数值能在MOSFET的数据手册中查到，fsw是开关频率。 　　对于300W的设计，如果使用SPP20N60C3，导通损耗为： 　　 　　假设开关电流大约为6A，并且栅驱动电阻Rg=3．6W，则开关损耗： 　　 　　总损耗为： 　　 　　则MOSFET散热器热阻必须为： 　　 　　栅驱动电阻被用来尽可能快地驱动MOSFET，并且还要保证将dv／dt控制在EMI的规范要求之内。在这个300W的实例中，为SPP20N60C3 MOSFET选择3．6W的栅电阻。 　　除栅极驱动电阻外，通常还在MOSFET的栅和源之间连一个10kW的电阻来为栅电容放电。 　　 　　?升压二极管 　　由于升压二极管D1的反向恢复特性对系统的性能有着很大的影响。因此需要使用低trr和低Qrr的超高速二极管来减少开关损耗。新型的碳化硅(SiC)肖特基二极管技术在这一方面显示出明显的优势，它几乎没有反向恢复特性。选用SiC肖特基二极管就可以不用考虑由升压二极管所引起的开关损耗。下面的公式只计算了导通损耗。 　　 　　根据经验法则，每流过1A的额定电流，SiC二极管就能够为一个CCM―PFC系统提供100～120W的输出功率Pout。例如，英飞凌科技公司制造的额定正向电流IF=4A的SDT04S60至少能够被用在Pout=400W的系统中。因此，我们能够在本设计中使用这一型号的二极管。 　　升压二极管的散热器热阻必须为： 　　 　　SiC升压二极管冲击电流的能力通常不强，因此容易被击穿。所以在电路中需要加入一个旁路二极管(图4中的二极管D3)。在本系统中，可以选用1N5408。 　　 　　?升压型电感器 　　流过电感器的峰值电流等于输入电压最小情况下的峰值输入电流与高频纹波电流之和。高频纹波电流的峰峰值IHF必须足够地小，通常为上面所给出的峰值输入电流的15％～25％。如果纹波电流太大，则需要一个较大的交流输入滤波器来滤掉这一噪声。如果纹波电流太小，则电感值会很大，这样磁芯的体积就会很大。下面给出了一个定义IHF的实例。 　　 　　这个值大约为Iin_pk的22％。流过电感器的峰值电流为： 　　 　　升压型电感器的电感值必须为： 　　 　　D=0．5时，将得到上式的最大值。 　　 　　?升压型输出大容量电容 　　大容量电容必须满足输出倍频纹波和保持时间这两方面的要求。 　　1输出倍频纹波的限制 　　PFC的固有电路结构会产生2fr的纹波。纹波电压的幅值与输出电流和大容量电容的关系如下所示。 　　 　　其中，Iout是PFC的输出电流，Vout_pple_pp是输出电压纹波(峰峰值)，fr是交流输入的频率。请注意ICElPCSOI／02带有增强动态控制模块，当Vout超过调节电平±5％的范围时，此模块将开始工作。设计增强动态模块时，应使其仅在负载或输入发生变化时才会工作。在负载恒定的稳定状态，增强动态模块不应被触发，否则THD将会恶化。这就意味着Vout_pple_p