11章-氧化物半导体材料PPT.ppt

第11章 氧化物半导体材料;金属氧(族)化物和硫化物概述;过渡金属氧(硫)化物的应用及类型;;;b. 过渡金属氧(硫)化物催化物的电子特性;B. 过渡金属氧(硫)化物催化物的结构类型;II. MO型：;b. M2O3型： ;c. MO2型： 萤石型：r(M4+)/r(O2-) 较大， 例子：ZrO2、HFO2、CeO2、ThO2、VO2。 金红石型： r(M4+)/r(O2-) 其次， 例子：TiO2、VO2、CrO2、MoO2、WO2、MnO2等。 硅石型： r(M4+)/r(O2-) 最小，;d. M2O5型和MO3型： I. M2O5型：V2O5， 层状结构，V5+被六个O2-包围但实际只有5 个，成扭曲三角双锥 ;II. MO3型：WO3、MoO3、ReO3。 ;B、半导体分类： ;5.2.2. n型和p型半导体生成;b. 用高价离子取代晶格中的正离子;a.氧化物中正离子缺位的非化学计量化合物;n型半导体生成条件;化学吸附;B. 施电子气体吸附（以H2为例）;例：CO在NiO上氧化反应;CO在NiO上氧化反应机理; 各种ZnO纳米结构 ;;;;;ZnO的掺杂;ZnO的合金及能带工程;纳米氧化锌的应用;;;ZnO拥有宽禁带、高激子束缚能、高强度、高硬度和比TiO2 更大的电子迁移率,使得它很适合于DSSC。并且一维纳米氧化锌是单晶，无晶界等对传输电子的损耗，自由电子更容易漂移到导电玻璃上，所以用一维纳米氧化锌阵列替代TiO2可以在很大程度上提高电子的传输效率; 相染料敏化太阳能电池;;2 纺织和日化工业;2 纺织和日化工业;2 纺织和日化工业;3 陶瓷和玻璃工业 ;3 陶瓷和玻璃工业;4 橡胶、涂料工业 ;4 橡胶、涂料工业;The morphology of TiO2;;; 二氧化钛的应用;1972年，Fujishima 在 n-型半导体TiO2电极上发现了水的光催化分解作用，从而开辟了半导体光催化这一新的领域。 1977年，发现光照条件下，TiO2对丙烯环氧化具有光催化活性，拓宽了光催化应用范围，为有机物氧化反应提供了一条新思路。 此后，光催化技术在环保、卫生保健、有机合成等方面的应用研究发展迅速，半导体光催化成为国际上最活跃的研究领域之一。;钛为地壳元素中的第四大元素，TiO2为n-型半导体，自然界中TiO2存在锐钛矿(A-type)、金红石(R-type)及板钛矿(B-type)，;A.无机化合物 许多无机物在半导体表面可以实现光分解： 包括：氨，叠氮化物，铬类，氰化物，卤化物，铁类，锰类，汞，硝酸??和亚硝酸盐，一氧化氮和二氧化氮，氧气，臭氧，钯类，铂类，铑类，银类，磺酸类等。;表1.1 　半导体光催化降解部分有机污染物; 可光催化降解的聚合物 PS-TiO2，PVC-TiO2，PP-TiO2;TiO2作为抗菌剂使用，可以杀死细菌、消除恶臭味和油污。 日本开发出用TiO2被覆的抗菌陶瓷，其制造工艺是先将TiO2加水制成浆料涂在陶瓷表面，高温煅烧即得到1μm厚的光催化薄膜。产品在光照射下，就能完全杀死表面的细菌。 用紫外灯对体外肿瘤细胞照射50 min，光催化剂可杀死肿瘤细胞75%以上。 光催化氧化还能用来处理空气中的NOx、SO2等有害气体。;几种简单的氧化物和硫化物半导体有足够的带隙能量去激发或催化大量的环境污染物。如：WO3(Eg=2.8 eV), SrTiO3(Eg =3.2 eV), α-Fe2O3(Eg=3.1eV)，ZnO(Eg=3.2 eV)和ZnS (Eg = 3.6 eV)。 对于有机物降解来说，好的半导体的主要的判断标准是H2O/?OH (Eo=-2.8V)电对电势在物质的带隙内并且他们能够稳定存在。;Photocatalyst;1、ZnO 作为重要的半导体光催化剂，禁带宽度为3.2 eV，在波长小于387 nm的紫外光照射下可以产生光生电子－空穴对，表现出较高的光催化活性。 与TiO2相比，它的成本更低，因而其应用研究也日益受到人们的重视。 粒径为5-12 nm的纳米ZnO，在紫外光照射下可以降解三氯乙烯，且其光活性远远大于亚微米的ZnO。 ZnO看起来是TiO2合适的替代物，然而ZnO分散后表面会产生Zn(OH)2，这样时间一长会导致催化剂失活。;2、其他金属氧化物 氧化铁(α-Fe2O3，α-FeOOH，β-FeOOH，γ-FeOOH，δ-FeOOH)的多晶型结构，尽管禁带宽度较高且价廉，但它们易受到光阴极腐蚀而影响其活性和寿命，因而不是最佳光催化材料。;钙钛矿复合氧化物具有稳定的晶体和电子结构，目前受到人们的普遍关注。如：SrTiO3。