导体器件工艺学之光刻.pptVIP

接近式光刻机 由接触式发展来，70年代使用，用于2μm—4μm尺寸线宽 特点： 与接触式相比减少了沾污问题 掩膜版的寿命也较长 由于光的衍射而分辨率降低 接近式光刻机 接近式光刻机上的边缘衍射和表面反射 接触和接近式光刻机 扫描投影式光刻机 70年代末80年代初，现在仍有使用，用来实现1μm的非关键层 使用1：1掩膜版 特点：亚微米尺寸的掩膜版制作困难 扫描投影式光刻机 步进扫描式光刻机 近年主流设备，用于形成0.25μm及以下尺寸 使用投影掩膜版（1：1，4：1，5：1，10：1） 特点： 高分辨率 精度易受环境影响（如振动） 光路复杂，设备昂贵 步进扫描光刻机 步进投影式光刻机 非光学曝光 电子束曝光 X射线曝光 离子束曝光 电子束曝光机 2.曝光光源： 最常用的两种紫外光源：汞灯 准分子激光 汞灯：发出240nm—500nm之间的辐射 准分子激光：248nm氟化氪激光器（常用） 193nm氟化氩激光器（下一代技术） 157nm波长的激光器（潜在的0.15μmCD的光源） 先进和特殊用途的光源：X射线 电子束 离子束 3.光学光刻特性 光谱 数值孔径 分辨率 焦深 ①光谱 DUV（248nm—193nm）VUV（157nm）EUV（13nm） 光刻区域：黄灯 ②透镜的数值孔径 数值孔径（NA）：透镜收集衍射光的能力 NA测量透镜能够接收多少衍射光，并且通过把这些衍射光会聚到一点成像 NA=透镜的半径/透镜的焦长 可以通过增加镜头半径来增加NA并俘虏更多衍射光的方式。这也意味着光学系统更加复杂更加昂贵。 ③分辨率 分辨率R=Kλ/NA 该公式表示影响光刻胶上形成几何图形的能力的参数有:波长λ 、数值孔径NA 、工艺因子K * 第五章光刻 §5-1光刻材料 §5-2光刻工艺 §5-3先进的光刻技术 §5-1光刻材料 一、概述 制作掩膜版 将掩膜版上的图形转移到硅片表面的光敏薄膜上 刻蚀 离子注入 （掺杂） 光刻使用光敏光刻胶材料和受控制的曝光形成三维图形 光刻是IC制造中关键步骤 1/3成本、40%—50%生产时间、决定CD 多次光刻 光刻材料：光刻胶 掩膜版 二、光刻胶（PR） 1.光刻胶的特性及作用 是一种光敏材料 通过曝光使光刻胶在显影液中的溶解度发生改变 可溶→不可溶（负胶） 不可溶→可溶（正胶） 光刻胶的作用：保护下层材料 光刻胶：负性光刻胶 正性光刻胶 2.光刻胶的组成树脂 感光剂 溶剂 另外还有添加剂 负性光刻胶 树脂（可溶于显影液） 曝光后感光剂产生自由基 自由基使树脂交联而不溶于显影液 显影后图形与掩膜版相反 正性光刻胶 树脂（本身是可溶于显影液，感光剂是一种强力溶解抑制剂） 曝光后感光剂产生酸 酸提高树脂在显影液中的溶解度 显影后图形与掩膜版相同 3.光刻胶发展 传统I线光刻胶（I线紫外波长365nm，0.35μmCD） 深紫外（DUV）光刻胶（248nm，0.25μmCD） 深紫外光刻胶的化学放大（193nm，0.18μmCD） 4.光刻胶的特性 分辨率：将硅片上两个邻近的特征图形区分开的能力 对比度：光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度 敏感度：产生一个良好图形所需的最低能量 粘滞度：液体光刻胶的流动特性的定量指标 粘附性：光刻胶粘着衬底的强度 抗蚀性：在后面的加工工艺中保持化学稳定性 三、掩膜版 掩膜版：包含整个硅片上所有管芯 投影掩膜版：包含一个管芯或几个管芯 两个基本部分：基板（石英版）+不透光材料 基板要求：低温度膨胀、高光学透射、耐腐蚀、材料表面和内部没有缺陷 超微粒干版：AgBr（卤化银） 铬版：Cr（铬）+氧化铬 氧化铁版：Fe2O3（氧化铁） 投影掩模板 采用电子束光刻直写式 投影掩模板的损伤： 掉铬、表面擦伤、静电放电、灰尘颗粒 投影掩模板的保护膜： §5-2光刻工艺 正性和负性光刻工艺 ： 负性光刻 正性光刻 光刻的基本步骤 气相成底膜 旋转涂胶 前烘 对准和曝光 曝光后烘焙 显影 坚膜烘焙 显影检查 基本步骤 目的：增强硅片与光刻胶的黏附性 底膜处理的步骤 1.硅片清洗 不良的表面沾污会造成： 光刻胶与硅片的黏附性差，可能会浮胶、钻蚀 颗粒沾污会造成不平坦的涂布，光刻胶针孔 2.脱水烘焙 使硅片表面呈干燥疏水性 3.底膜处理 HMDS作用：影响硅片表