CdTe Thin Film Solar Cell-材料合成化学课件PPT.ppt

CdTe Thin Film Solar Cell CdTe薄膜太阳能电池结构 CdTe吸收材料的特征 CdTe半导体材料是直接禁带半导体。 具有与太阳光谱可完美匹配的理想带隙（1.45eV） CdTe的吸收系数非常高，与Si相比，为了充分吸收入射光，需要几百个μm厚的Si层，但CdTe只需要几个μm的厚度。 这可以通过CdTe和Si能带结构来解释， Si是间接带隙的半导体。 CSS（近空间升华法）制备CdTe薄膜 基本过程 CSS（近空间升华法）制备CdTe薄膜 CSS装置单元由一个可水平移动的衬底加热台和一个可以动的坩埚组成。坩埚中含有需要沉积的材料，两者均用卤灯加热。 其沉积过程有三个步骤： 1.加热：使两个窗口中的任意一个覆盖在坩埚上，加热坩埚和样品到所需温度。 2.沉积：快速将坩埚移动到样品的正下方，进行沉积。 3.冷却：沉积完毕之后，将坩埚进一步移动到另一个窗口下，在此位置二者进行冷却。冷却完毕，取出样品。 * CdTe吸收材料的特征 坩埚中CdTe源经加热升华，分解为气态的Cd与Te2 Cd 和Te2从源扩散到衬底。 Cd 和Te2反应在衬底表面形成CdTe薄膜。 CSS（近空间升华法）制备CdTe薄膜 CSS装置单元 *