《功能薄膜材料》课件PPT第8章1-真空蒸发.ppt

A值相差不大，主要是B的差别 * 一般的为了有一定的沉积速率，蒸汽压都选在1Pa左右，所以有的源料适合用液体，有的源料适合用固体， 而有些材料不适合用蒸发法来沉积，该图对选盛料坩埚也有意义。 * 半导体相关的材料 * 可固定要蒸发的量，以减少对温度的精确控制 * * * 假设：蒸发物质的分子在蒸发后立即离去，并不回到原来的物质上，则Ph~0 Cu的掺入可以有效抑制电迁移 * * 多蒸发源用于两相的蒸汽压差别很大的合金沉积 采用交替蒸镀法或顺次蒸镀法制作二层或多层膜之后在高温下进行热处理也会达到相同效果，这样使控制变得简单。顺次蒸镀时改变蒸镀顺序会使合金化温度发生变化。 * 对于部分蒸发分解，在源料的分解温度，某一组元为凝聚态，另一组元为气态 * * * 用于决定沉积几何 * * 在分子束外延设备的蒸发枪经常n比较大 * 点源的浪费比较严重些 * * 随着蒸发过程，n逐渐增大 厚度不均匀?电阻不均匀?发热?失效 * TS/Tm0.15,晶带I型的细等轴晶，沉积过程伴随着不断的成核过程，晶粒尺寸5~20nm,孔洞较多(阴影效应)，组织疏松; 0.15TS/Tm0.3, 晶带T型组织，特点是细晶粒的包围下出现部分直径约为50nm的大晶粒，表明晶界具备一定的运动能力; 0.3TS/Tm0.5，晶带II型的柱状形貌； TS/Tm0.5，晶带III型粗大的等轴晶组织。 * 1?有良好的热稳定性，化学性质不活泼，达到蒸发温度时加热器本身的蒸汽压要足够底。 2?蒸发源的熔点要高于被蒸发物的蒸发温度。加热器要有足够大的热容量。 3?蒸发物质和蒸发源材料的互熔性必须很底，不易形成合金。 4?要求线圈状蒸发源所用材料能与蒸发材料有良好的浸润，有较大的表面张力。 5?对于不易制成丝状、或蒸发材料与丝状蒸发源的表面张力较小时，可采用舟状蒸发源。 * the evaporant charge is placed in either a water-cooled crucible or in the depression of a water-cooled copper hearth. The purity of the evaporant is assured because only a small amount of charge melts or sublimes so that the effective crucible is the unmelted skull material next to the cooled hearth. For this reason there is no contamination of the evaporant by Cu. Multiple source units are available for either sequential or parallel deposition of more than one material. * 图表明大角度的时候主要是热蒸发 * 主要问题在于真空 * 真空蒸发装置 真空蒸发加热装置 真空蒸发加热装置 真空蒸发加热装置 真空蒸发加热装置 蒸发坩锅种类 A small effusion source using a PBN oven 电阻蒸发源材料： W，Mo，Ta，BN，C 等. 熔点高, 平衡蒸汽压低 ,化学性能稳定。 1）与蒸发材料形成低熔点合金的问题； 2）薄膜纯度有限。 电阻式蒸发源温度估计： 对于钨，n=1.2 电阻式蒸发： 优点：简单 缺点： 分馏问题； 加热元件和源料的反应问题； 无法蒸发难熔材料； 蒸发率低； 蒸发时化合物容易分解。 电子束蒸发装置 适用于高纯和高熔点物质的蒸发；避免反应； 电子束蒸发的有效距离(高速蒸发) dense cloud 电子束蒸发中的问题： 1、有效距离 2、沉积速率随时间变化 3、电离离子的作用 4、X-Ray轰击 hv/h~0.7 离子束辅助蒸发沉积 激光加热装置(PLD) ~ 2 J/脉冲，脉冲频率 ~ 30 Hz ArF (193 nm) KrF (248 nm) XeCl (308 nm) plume is highly directional, cosnq, where 8 n 12 窗口材料：MgF2, sapphire, CaF2, UV-grade quartz 光被材料吸收 热传导： 温度分布： 蒸发速率： 优点： 瞬时加热，具有闪烁蒸发的特点；能保持源料组分；污染少；难熔金属；易实现同时或顺序多源蒸发。 缺点： 昂贵；膜厚不易控制(单个脉冲就可沉积数百纳米)；容易有粒子飞溅；蒸发量少；不适合工业生产； 风车式的挡板 蒸发法在工业生产上的应用 (Web Coating) 包装