《大学普通化学》课件PPT 4.ppt

4.1 原子结构 4.1.2 电子运动的量子力学描述 (3) 共价键的类型： ?键长 ?键角 2 杂化轨道理论与分子的空间构型 1. 配合物的空间构型和磁性 2. 配合物的价键理论 (2) 配合物的磁性 (1) 离子晶体 将晶体内的微粒视为几何上的点, 这些点所组成的几何构型称为晶格(crystal lattice) 。而微粒所占有的位置称为晶格结点( lattice point)。 晶胞(Unit cell)：晶体的最小重复单元，通过晶胞在空间平移无隙地堆砌而成晶体。 由晶胞参数a，b， c，α，β，γ表 示， a，b，c 为 六面体边长， α， β，γ 分别是bc ca , ab 所形成的 三个夹角。 晶胞的两个要素： (1)晶胞的大小与形状： 金属钠中能带形成示意图 3p 3s 2p 2s 能 量 3p 能带 3s 能带 2p 能带 2s 能带 Eg 空带 导带 禁带 满带 满带 原子数 1 2 3 4 5 (∞) (a) 原子数 增加形成的能带 (b) 电子充填 能带中分子轨道被电子充满的称满带； 能带中分子轨道没有被电子充满的称未满带，也称导带； 能带中分子轨道中没有电子的称空带； 各种能带之间的能量间隔不能填充电子称为禁带。 禁带的能量间隔用符号Eg表示。 根据能带结构中禁带宽度和能带中电子 填充状况,可把物质分为导体、绝缘体和半导体。 导体中存在导带，在电场作用下，导带 中的电子很容易跃入导带中的空分子轨道中 去，从而导电。 绝缘体和半导体中不存在导带，这是它们的共同点，不同的是满带和空带之间的禁带的Eg不同。一般绝缘体的Eg 6ev，一般电子很难获得能量跃过禁带；而一般半导体的Eg 2ev，在一定条件下，少数高能电子能跃过禁带而导电。 Mg的外层电子构型为3s2，其3s能带是满带，没有空轨道，似乎不能导电。但Mg的相邻能带之间的能量间隔很小，使Mg的3s和3p能带发生部分 重叠，从而形成一个更大的导带。 4.3 分子间力与氢键 4.3.1 分子的电偶极矩和极化率 4.3.2 分子间力 4.3.3 氢键 1.分子的电偶极矩 分子中正、负电荷中心称偶极(dipole),其带的电量分别为+Q、 -Q，两偶极间的距离称偶极长度(d)。 + - +Q -Q d 4.3.1 分子的电偶极矩和极化率 分子的电偶极矩μ(dipole moments)：用于定量地表示分子的极性大小。 极性分子 d ≠ 0 μ≠0 非极性分子 d=0 μ=0 单位：C · m 偶极矩是矢量,方向由正电荷中心指向负电荷中心。 偶极矩越大，分子的极性越强。 区分化学键的极性和分子的极性： ?双原子分子：键的极性与分子的极性一致 。 ?多原子分子：键的极性与分子的极性不完 全一致，需考虑分子的空间 构型。 偶极矩与分子空间构型的关系 双 原 子分 子 直线形 直线形 直线形 直线形 直线形 直线形 直线形 V字形 直线形 V字形 V字形 直线形 直线形 三角锥形 平面三角形 四面体形 正四面体形 正四面体形 多 原 子分 子 四 原 子分 子 五 原 子分 子 分子式 分子式 偶极矩(μ) /(10-30C.m) 偶极矩(μ) /(10-30C.m) 分子空间构型 分子空间构型 HF HCl HBr HI CO N2 H2 HCN H2O H2S SO2 CS2 CO2 NH3 BF3 CHCl3 CH4 CCl4 6. 37 3. 57 2. 67 1. 40 0. 40 0 0 9. 85 6. 17 5. 33 3. 67 0 0 4. 90 0 3. 50 0 0 2.分子的极化率 - + + + - + - ↓ + - ↓ - 在外电场的作用下，非极性分子原来重合的正、负电荷中心被分开；极性分子原来不重合的正、负电荷中心被进一步分开。这种正、负两极被分开的过程叫做分子的极化。 极化率：用于定量地表示分子的变形性大小。分子的变形性越大，极化率越大。 影响分子变形性大小的因素： 外因：外加电场愈强，分子变形愈厉