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大容量存储设备在嵌入式系统的应用研究 　　摘要：分析了在嵌入式系统中采用的flash存储器的使用特点，并论述了如何对NAND FLASH进行有效全面管理的解决方案，包括如何设计文件系统，进行坏块管理等，如何垃圾回收及均衡各个NAND FALSH块的使用问题也进行了较详细论述。 　　关键词：大容量存储设备；NAND；文件系统；坏块管理；均衡 　　中图分类号：TP334.5文献标识码：A文章编号：1009-3044(2008)30-0733-02 　　 　　Applications Reserch of Mass Storage Based on Embbed System 　　LIU Hui-zhong 　　(Hebei Institute of Applied Mathematics, Shijiazhuang 050081, China) 　　Abstract: What is the advantages of NOR/NAND Flash memory based on embedded sytem is discussed, the solution of how to use NAND Flash memory comprehensive is descripted , it combines flash file system,bad block management etc. ,put forward the method to deal with dirty block,wearleveling. 　　Key words: mass storage; NAND; file system; bad block management; wearleveling 　　 　　1 引言 　　 　　随着嵌入式系统越来越广泛的应用，嵌入式系统中有大量的数据需要存储和管理。Flash存储器具有容量大、体积小、功耗小、成本低、掉电后数据不丢失、读访问速度高、抗震性好等一系列的优点，已经成为嵌入式系统中广泛应用的存储器件。但是随着系统复杂性的增加和存储器容量的加大，如何高效地存储和管理数据从而方便用户使用成为一个重要的课题。 　　目前闪存有多种技术架构，其中以ＮＯＲ技术和ＮＡＮＤ技术为主流技术。ＮＯＲ型闪存是随机存取的设备，适用于代码存储；ＮＡＮＤ型闪存是线性存取的设备，适用于大容量数据存储，因此，设计能有效管理大容量NAND闪存的嵌入式闪存文件系统是解决办法。 　　 　　2 Flash存储器特点 　　 　　2.1 FLASH共同特点 　　FLASH是一种非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory），具有如下共同特点： 　　（1）区块结构 　　FLASH在物理结构上分成若干个区块，区块之间相互独立。比如NOR FLASH把整个Memory分成若干个Sector，而NAND FLASH把整个Memory分成若干个Block。 　　（2）先擦后写 　　由于FLASH的写操作只能将数据位从1写成0，不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦操作，将预写入的数据位初始化为1。擦操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。 　　（3）操作指令 　　除了NOR FLASH的读，FLASH的其它操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。比如执行一次写操作，它必须输入一串特殊的指令（NOR FLASH），或者完成一段时序（NAND FLASH）才能将数据写入到FLASH中。 　　（4）位反转 　　由于FLASH固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误，这就是位反转。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。 　　（5）坏块 　　FLASH在使用过程中，可能导致某些区块的损坏。区块一旦损坏，将无法进行修复。如果对已损坏的区块进行操作，可能会带来不可预测的错误。尤其是NAND FLASH在出厂时就可能存在这样的坏块（已经被标识出）。 　　2.2 NAND 闪存特点 　　NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(所有字节(byte)设置为FFh)。写操作就是通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法，在系统级实现这一点。NAND的效率较高，是因为NAND串中没有金属触点。NAND与硬盘驱动器类似，基于扇区(页)，适合于存储连续的数据，如图片、音频或个人电脑数据。虽然通过把数据映射到RAM上，能在系统级实现随