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射频识别标签芯片中基准电压源的设计 　　摘要:该文设计了一种适用于射频识别(RFID)标签芯片的带隙基准电压源。该电压源采用了电流反馈工作模式,并附加了自启动电路。该电路采用0.35μm标准CMOS工艺,在27C时,可获得1.157V的基准电压,其温度系数为0.03mV/K。在输入电压从2.25V至2.75V变化,温度从0℃至85℃变化时,该电路均可以正常工作。 　　关键词:带隙基准;启动电路;电流反馈 　　中图分类号:TP391 文献标识码:A 文章编号:1009-3044(2009)33-9318-02 　　The Design of A Bandgap Reference Applied in the RFID Chip 　　DU Hai-tao 　　(Wuxi Vocational Technical Institute of Commerce, Wuxi 214063, China) 　　Abstract:This paper describes the design of a bandgap reference applied in the RFID chip. This circuit works in a current feedback mode, startup circuit is required for successful operation of the system. The circuit implemented in 0.25μm CMOS technology, generates a reference voltage of 1.157V and has a temperature coefficient of 0.03 mV/K at 27C. It can operate with supply voltages between 2.25V and 2.75V and between 0℃ and 85℃. 　　Key words: bandgap reference; startup circuit; current feedback 　　1 概述 　　在设计模拟电路时,广泛地包含电压基准。这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度系数的关系是确定的。产生电压基准的目的是建立一个与电源和工艺无关的直流电压。由于大多数工艺参数会随着温度变化,所以在设计基准电压源时,还要考虑使其与温度关系很小。这时,采用带隙基准可以实现具有零温度系数的电压基准源。 　　带隙基准电压源是利用正温度系数电压和负温度系数电压,而设计的零温度系数的基准。 　　当三极管工作时,发射极与基极之间的电压VEB。满足下面这个式子: 　　也即VEB随温度的变化为常数,只与硅的能带(禁带)有关,VEB就是负温度系数电压。 　　若两个双极晶体管工作在不相等的电流密度下,那么他们的基极―发射极电压的差值就与温度成正比。如图1所示,如果两个同样的晶体管偏置的集电极电流分别为nI0和I0,忽略它们的基极电流,那么: 　　这样,VEB的差值就表现出正温度系数: 　　假设选取α1和α2使得,这样就可得到了具有零温度系数的电压基准,VREF=α1VEB+α2ΔVEB。 　　2 带隙基准电路的结构原理 　　根据上述的理论设计了一个带隙基准电压电路,其设计原理图如图2所示。该电路分成四部分:启动电路、补偿电路、带隙基准电路和运算放大器。MOS管子TP1、TP2、TP3的VGS相同,流过的电流全部相等,从而构成电流源了。该电路的输出端在补偿电路中的电阻R2的上端点。 　　在带隙基准电路这一部分电路中,三极管T1的发射极与运算放大器一输入端相连,运算放大器另一输入端与三极管T2的发射极上的电阻R1相连,R1两端的电压为ΔVEB。 　　ΔVEB=VEB1-VEB2 =ν?lnm=kT/q?lnm 　　流过电阻R1的电流为: 　　ISS=ΔVEB/R1 　　在补偿电路中,流过电阻R2的电流也为ISS,电阻R2两端的电压为VR2=ISS?R2。所以输出端的电压为: 　　VEFR=VEB+R2ΔVEB/ R1 　　可通过调节R1和R2的大小,使 为零。 　　各个管子的参数如表1所示。 　　3 模拟结果 　　该设计采用Charted公司的0.35um的工艺,工作电源参数选取为3.3V,对该电路的版图进行后仿真验证,可得到基准电压VREF随电源电压VDD和温度的变化曲线如图3,可见该电路随温度的变化波动的幅度不超过0.01V,其输出电压可稳定在1.15V左右。 　　4 结束语 　　该电路采用0.35μm标准CMOS工艺,在27℃时,可获得1.157V的基准电压,其温度系数为0.03