第2讲 二极.ppt

作 业 1.2 1.4 1.6 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 场效应管(FET: Field Effect Transistor)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 场效应管的优点：体积小、重量轻、寿命长、输入内阻高、噪声低、热稳定性好，抗辐射能力强，耗电省。 1.4.1 结型场效应管 N沟道结型场效应管的结构示意图 导电沟道 N沟道管的符号 N沟道和 P沟道 1.栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用(uDS=0) 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 UGS（off） N沟道结型管： 2.漏-源电压对漏极电流的影响 uGD＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 uGDUGS（off） uGDUGS（off） 3. 当 时，uGS 对iD 的控制作用 uGDUGS（off） 这时，对于确定的栅源电压就有确定的漏电流。 场效应管用 来描述动态的栅-源电压对漏电流的控制作用。 * * 1.2 半导体二极管 1.2.1 二极管的几种常见结构 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.4 二极管的等效电路 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.5 稳压二极管 1.2.1 二极管的几种常见结构 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 点接触型： 结面积小，结电容小 故结允许的电流小 工作频率较高 面接触型： 结面积大，结电容大 故结允许的电流大 工作频率较低 平面型： 结面积可小、可大, 小的工作频率高 大的允许的电流大 1.2.2 二极管的伏安特性 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗 Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅 Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，击穿电压U(BR) ↓ 1.2.3 二极管的主要参数 最大整流电流IF：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，即最大平均值。 最高反向工作电压UR：二极管工作时允许外加的最大反向电压，即最大瞬时值。 反向电流 IR：二极管未被击穿时的反向电流，即IS。 最高工作频率fM：二极管工作的上限截止频率。 1.2.4 二极管的等效电路 等效电路：能够模拟二极管特性的电路称为二极管的等效电路，也称二极管的等效模型。 二极管的伏安特性具有非线性，为了便于分析，常在一定的条件下，用线性元件所构成的电路来近似模拟二极管的特性，并用之取代电路中的二极管。 一、由伏安特性折线化得到的等效电路 理想 二极管 理想开关 导通时 UD＝0截止时IS＝0 近似分析中最常用 导通时UD＝Uon 截止时IS＝0 导通时i与u成线性关系 应根据不同情况选择不同的等效电路 [例1.2.1] 电压如图所示，二极管导通电压UD=0.7V， 分别估算开关断开和闭合时输出电压的数值。 二、二极管的微变等效电路 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 Q越高，rd越小。 二极管的特殊性： 当直流电源作用于二极管时，二极管等效成一个小电压源，电压为Uon； 当交流电源同时作用于二极管时，二极管等效成一个小阻值的电阻rd。 1.2.5 稳压二极管 一、 稳压二极管的伏安特性 稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压基本不变，表现出稳压特性。 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 二、稳压管的主要参数 稳定电压UZ：在规定电流下稳压管的反向击穿电压。 最大功耗PZM 动态电阻rz，稳压管工作在稳压区时，端电压变化量与其电流变化量之比。 稳定电流IZ ：稳压管工作在稳压状态时的参考电流。 温度系数：温度每变化1 °C, 稳压值的变化量。 为保证稳压管正常工作，在稳压管中必串联一电阻来限制电流，称限流电阻，使得 [例1.2.1] 在如图所示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA ; 负载电阻RL=600 欧姆 。求解限流电阻R的取值范围。 图：