第6章半导体储器.ppt

第6章 半导体存储器 半导体存储器是一种由半导体器件构成的能够存储数据、运算结果、操作指令的逻辑部件。主要用于计算机的内存储器。 本章对其特点、分类、技术指标予以简单介绍，并介绍基本存储单元的组成原理，集成半导体存储器的工作原理及功能。 本章重点要求掌握各类存储器的特点、存储器容量扩展和用存储器实现组合电路。 6.1 概 述 ⒈ 半导体存储器的特点及分类 按制造工艺的不同可把存储器分成TTL型和MOS型存储器两大类。 TTL型速度快，常用作计算机的高速缓冲存储器。 MOS型具有工艺简单、集成度高、功耗低、成本低等特点，常用作计算机的大容量内存储器。 6.1 概 述 ⒈ 半导体存储器的特点及分类 按存储二值信号的原理不同存储器分为静态存储器和动态存储器两种。 静态存储器是以触发器为基本单元来存储0和1的，在不失电的情况下，触发器状态不会改变； 动态存储器是用电容存储电荷的效应来存储二值信号的。电容漏电会导致信息丢失，因此要求定时对电容进行充电或放电。 按工作特点不同半导体存储器分成只读存储器、随机存取存储器和顺序存取存储器。 6.1 概 述 ⒉半导体存储器的技术指标 存取容量：表示存储器存放二进制信息的多少。二值信息以字的形式出现。一个字包含若干位。一个字的位数称做字长。 通常，用存储器的存储单元个数表示存储器的存储容量，即存储容量表示存储器存放二进制信息的多少。存储容量应表示为字数乘以位数。 选中哪些存储单元，由地址译码器的输出来决定。即由地址码来决定。地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的关系。如果某存储器有10个地址输入端，那它就能存210=1024个字。 6.1 概 述 ⒉半导体存储器的技术指标 存取周期：存储器的性能取决于存储器的存取速率。存储器的存取速度用存取周期或读写周期来表征。把连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 6.2 只读存储器 半导体只读存储器(Read-only Memory, ROM)是具有n个输入b个输出的组合逻辑电路。 6.2 只读存储器 只读存储器存储了一个n输入b输出的组合逻辑功能的真值表。 6.2 只读存储器 只读存储器是一种组合电路，当信息被加工时或被编程时，认为信息是存储在ROM中。 其特点是电路结构简单，电路形式和规格比较统一，在操作过程中只能读出信息不能写入。 通常用其存放固定的数据和程序，如计算机系统的引导程序、监控程序、函数表、字符等。 只读存储器为非易失性存储器(nonvolatile memory)，去掉电源，所存信息不会丢失。 分 类 ROM按存储内容的写入方式，可分为 固定ROM 可编程序只读存储器(Programmable Read Only Memory，简称PROM) 可擦除可编程序只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，简称EPROM)。 ⒈ 固定只读存储器ROM 固定ROM，在制造时根据特定的要求做成固定的存储内容，出厂后，用户无法更改，只能读出。 有TTL型和MOS型ROM两种。 ⒈ 固定只读存储器ROM ROM由地址译码器、存储矩阵、输出和控制电路组成，如图6-1所示。 ⒈ 固定只读存储器ROM 图6-2是一个4×4位的NMOS固定ROM。 ⒈ 固定只读存储器ROM 图6-3是ROM的点阵图。 ⒉可编程只读存储器(PROM) PROM的存储内容可以由使用者编制写入，但只能写入一次，一经写入就不能再更改。 PROM和ROM的区别在于ROM由厂家编程，而PROM由用户编程。出厂时PROM的内容全是1或全是0，使用时，用户可以根据需要编好代码，写入PROM中。 ⒉可编程只读存储器(PROM) 图6-4为一种PROM的结构图，存储矩阵的存储单元由双极型三极管和熔断丝组成。 ⒊可擦可编程只读存储器(EPROM) PROM只能写一次的原因是熔丝断了，不能再接通。 EPROM的存储内容可以改变，但EPROM所存内容的擦除或改写，需要专门的擦抹器和编程器实现。在工作时，也只能读出。 ⒊可擦可编程只读存储器(EPROM) 可擦除可编程存储器又可以分为： 光可擦除可编程存储器UVEPROM (Ultra—Violet Erasable Programmable Read－Only Memory) ⒊可擦可编程只读存储器(EPROM) 可擦除可编程存储器又可以分为： 电可擦除可编程存储器E2PROM (Electrical Erasable Programmable Read－Only Memory) 快闪存储器(Flash Memory)等。 快闪存储器以其高集成度、大容量、低成本和使用方便等优点得到广泛应用。例如在一些较新的计算机