1111580104-董洁-银粒子催化刻蚀.docxVIP

2. 设计内容2.1 原理由于沉积在硅片表面的Ag粒子具有比Si原子更高的电负性，Ag纳米粒子继续从位于它下面的Si原子吸引电子使Ag粒子表面富集负电荷，导致位于Ag纳米粒子下面的Si原子失去电子被氧化成SiO2，并被HF溶解。腐蚀的方向沿着Ag纳米颗粒所在位置纵深向下，直到HF溶解SiO2的速率小于硅原子被氧化的速率，SiO2层得以形成，暂时终止了电子的进一步传输，当HF溶解掉所形成的SiO2层后，刻蚀反应则继续进行。这个过程可以看做原电池的工作过程，即贵金属粒子沉积处形成局部原电池,氢在阴极发生还原反应, 硅在阳极发生氧化反应而溶解, 具体反应机制如下：贵金属粒子上发生阴极反应:H2O2+ 2H+→2H2O+ 2h+2H++ 2e-→H2↑硅基体上发生阳极反应:Si+ 4h++ 4HF→SiF4+ 4H+SiF4+ 2FH→H2SiF6总反应方程式:Si+ H 2O2 + 6HF→2H 2O+ H 2SiF6+ H 2 ↑银镜反应：2[Ag(NH3)2OH]+R-CHO→R-COONH4+2Ag↓+H2O+3NH?实验每次实验切取硅片1.5cm×1cm共六片，第一步进行硅的清洗。使用玻璃皿进行丙酮超声清洗（35℃/10min），用来去油污（有机物）。之后进行去离子水超声清洗（10min），用来去丙酮。换塑料皿，配制HF：水=1:2，浸泡5min去SiO2，之后去离子水超声清洗10min，作为最后的清洗。第二步进行硅表面镀银。首先配制银氨溶液（0.1mol/L）。使用电子称称量AgNO30.845g，（称量时关灯）。并用量筒取H2O 25ml无水乙醇 25ml ，放入烧杯中混合，用磁子搅拌5min。此时，配制1mol/L的氨水，量取8mlNH3?H2O与42mlH2O混合，得到1mol/L氨水。氨水配制好后，在烧杯中（AgNO3、无水乙醇、H2O的混合液）边用磁子搅拌边逐滴加氨水（1mol/L）。此时观察现象：刚滴加氨水时，溶液生成棕色沉淀，浑浊液体，继续逐滴滴加，恰好溶液变澄清时，停止滴加，保证氨水不能过量。后将银氨溶液倒入棕色瓶中保存。配制好银氨溶液后，开始镀银。首先配制0.3mol/L葡萄糖溶液。用电子称称量2.975g葡萄糖，并量取50ml水充分混合，配制成0.3mol/L葡萄糖溶液。之后量取10ml银氨溶液、 1ml葡萄糖溶液（0.3mol/L）混合。此时观察现象：玻璃皿表面附着一层光亮的银。然后将硅片置于镀银液中。10min后，用镊子夹取硅片置于去离子水中，取出后用洗耳球吹干。此时观察硅表面，形成一层暗银色的膜。最后将镀好的硅片置于塑料皿中。第三步进行刻蚀。首先配制刻蚀液HF：H2O2=1:1。配制后，加入刻蚀液刻蚀。分三组分别刻蚀5min、30min、60min（观察刻蚀结构随时间的变化），并且每组取一片，刻蚀后放入浓硝酸中浸泡10min，用来取出银粒子，方便测反射率。刻蚀时观察现象：硅表面出现气泡，刻蚀5min的硅片表面有少部分变色，30min大面积变成棕色，60min全部变为棕色。第四步制备样品并，使用SEM观察表面及截面的形貌。衬底类型刻蚀时间测量情况n（100）5min30min60min已测n（111）5min30min60min未测p（100）5min30min60min未测p（111）5min30min60min未测2.3 结果与分析随刻蚀时间的增长，使得硅纳米孔逐渐变长，60分钟生长的硅纳米孔直径比较均匀，通过观察60min生长的硅纳米孔SEM图像LYjm3_008，发现制备的硅纳米孔直径在100nm左右，长度为30微米左右。根据不同时间生长的硅纳米孔SEM图像，我们可以判断，制备的硅纳米孔的直径在100nm左右，生长时间越短，制备的硅纳米孔长度越短，且直径不均匀。由于硅片表面Ag的存在，使得刻蚀过程不均匀，生长的硅纳米孔的长度也不相同，较长时间生长的硅纳米孔直径呈螺旋结构，且方向不确定，直径明显大于100nm。随着反应的进行，反应物质的浓度在逐渐减小，所以不同时刻生长的硅纳米孔的速率不尽相同，因此，硅纳米线生长速率不是一个重要参数。LYjm3_008设计改进与建议为了控制硅纳米孔的长度，还要继续探讨制备条件对硅纳米孔的影响。②用洗耳球吹干镀银后的硅片表面时，会对硅表面银粒子形貌有一定影响，从而影响刻蚀表面的形貌。③配制银氨溶液时，要防止加入过量的氨水。否则有可能生成雷酸银（AgONC），雷酸银在受热或撞击时有爆炸的危险，同时银氨溶液本身也将失去灵敏性。④银氨溶液必须随配随用，不要贮存久放，因为银氨溶液久置后，将变成叠氮化银（AgN3）沉淀，它受振动时很容易分解而发生猛烈爆炸。⑤银镜反应的成败关键之一，是所用的仪器是否洁净。4. 结论银粒子辅助化学刻蚀后的硅结构表面通常呈现棕色，表明这种刻蚀过