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Foundation of On-chip ESD Protection A Prof. Dong Shurong ESD Lab of Zhejiang University Supported by IEEE, ESDA and ZJU Outline Chapter 1, Introduction Chapter 2, ESD Measurement Analysis HBM/MM/CDM/TLP/ZAP/FA/Other Methods Chapter 3, ESD Protection Device Diode/BJT/MOS/SCR/Others Chapter 4, ESD Protection Circuit Input/Output/Power Clamp Chapter 5, Advanced ESD Protection Design Mixed Signal/RF /Whole Chip / Layout/ ESD–Circuit Interaction/simulation 2007-6-6 共55页 2 Chapter 1, Introduction ESD造成的失效机理主要热击穿和电击穿。 例如： (1) 2KV的HBM脉冲可以产生0.91微卡热量，会使160*1.2*5um的晶体管升 温2470度，Si熔点1415度，Al熔点660度； (2)栅氧的击穿场强是8~10 MV/cm,对于180nm/1.8v的CMOS工艺,栅氧厚度 一般是3.5nm，所以当栅压超过4V就会出现击穿现象。 2007-6-6 共55页 3 Chapter 1, Introduction 新工艺对ESD保护影响 制程 3-4 μm 2 μm 1 μm 0.5 μm 0.35 μm 90-180nm 65-90nm 65nm 新技术 结深 LDD Silicide STI Bulk IEPI 20A 应力硅和 和EPI Substrate 栅氧 3-D晶体管 ESD级别 提高 提高 提高 提高 降低 提高 提高 不确定 要求 拴锁风险 提高 不确定 提高 提高 降低 不确定 不确定 不确定 2007-6-6 共55页 4 Chapter 2, ESD Measurement Analysis 1，Main ESD standard Test Model: (1)HBM (2)MM (3)CDM (4)Other:FIM/IEC/E-Gun 2，Main Analysis methods: (1)TLP/ZAP/Lautch-up (2)Failure Analysis (3)Other Methods 2007-6-6 共55页 5 Chapter 2, ESD Measurement Analysis