[工学]电子技术 第十四章.pptVIP

参考书目 《电子技术基础》 康华光 主编 《数字电子技术基础》 闫 石 主编 三极管的外形： 三极管的结构符号： NPN型 PNP型 硅酮塑料封装 金属封装小功率管 金属封装大功率管 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC VCVBVE B E C N N P VEVBVC 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 2. 各电极电流关系及电流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 晶体管电流测量数据 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫电流定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 晶体管的电流放大作用：基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化。 (a) N N C E B P C E T B IB IE IC + UBE ? IC IE IB C T E B + UCE ? (a) NPN 型晶体管； + UBE ? IB IE IC C T E B + UCE ? (4) 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向 偏置，集电结必须反向偏置。 (b) PNP 型晶体管 VCVBVE VEVBVC 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴浓度较小，向发射区的扩散可忽略。 发射区电子浓度大，且发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 进入基区的电子少部分与基区的空穴复合，多数电子扩散到集电结。由于基极接电源正极，基区中被激发的价电子不断被电源拉走，相当于不断补充被复合掉的空穴，形成电流IBE 。 集电结反偏，由少子（基区中空穴、集电区电子）形成反向电流ICBO。 集电结反偏，将扩散到基区的电子拉到集电区，形成电流ICE 。 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE 共发射极电流放大倍数：ICE 与 IBE 之比 , 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICEO 集－射极穿透电流 14.5.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： (1)直观地分析管子的工作状态 (2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 1. 输入特性 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 3DG100晶体管的 输入特性曲线 O 0.4 0.8 IB/?A UBE/V UCE≥1V 60 40 20 80 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 2. 输出特性 共发射极电路 IC EC=UCC IB RB + UBE ? + UCE ? EB C E B IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μ