微电子工艺(一) - PRINT培训讲解.pptVIP

微 电 子 工 艺;绪论;1 引言; 基本器件的两个发展阶段;npn-Si双极型晶体管芯片工艺流程----硅外延平面工艺举例;3 微电子工艺特点及用途;超净室结构和运行原理示意图;超净环境 ;;3.2 主要应用;集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SoC)---- SoC是一个通过IP设计复用达到高生产率的软/硬件协同设计过程 微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科，例如MEMS、DNA芯片等----其核心是将电子信息系统中的信息获取、信息执行与信息处理等主要功能集成在一个芯片上，而完成信息处理处理功能。;4 本课程内容;*;教材与参考书;第一单元 硅 衬 底 第1章 单晶硅特性 第2章 硅片的制备 第3章 外延;第1章 单晶硅特性; 1.1 硅晶体的结构特点;1、硅、锗、砷化镓电学特性比较;;硅作为电子材料的优点：;2、硅晶胞;1.2 硅晶向、晶面和堆积模型;2、晶面;硅晶面;面心立方晶格;硅晶体为双层立方密积结构;解理面;第一次课问题：;1.2 硅晶体缺陷;1.2.1 点缺陷;杂质缺陷是非本征点缺陷，是指硅晶体中的外来原子。 填隙杂质应尽量避免，它破坏了晶格的完整性，引起点阵的畸变，但对半导体晶体的电学性质影响不大； 替位杂质通常是有意掺入的杂质。例如，硅晶体中掺入Ⅲ、Ⅴ族替位杂质，目的是调节硅晶体的电导率；掺入贵金属Au等，目的是在硅晶体中添加载流子复合中心，缩短载流子寿命。;1.2.2 线缺陷;刃位错和螺位错;刃形位错的运动;1.2.3 面缺陷和体缺陷;缺陷的产生及结团;缺陷的去除;1.3 硅中杂质;Si中杂质类型;1.3.1 杂质对Si电学特性的影响;硅晶体中杂质能级和电离能;硅的电阻率-掺杂浓度曲线;1.3.2 固溶度和相图;固溶体;硅晶体中杂质的固溶度;二、相图知识;*;两相平衡时的数量分配规律－－杠杆规则;连续性固溶体：锗-硅相图;铝-硅体系相图 ;砷-硅体系相图;第二章 硅片的制备;2.1 多晶硅的制备; 2.1.1 冶炼;2.1.2 提纯;2.2 单晶硅生长;2.2 内容;2.2.1 直拉法----Czochralski, CZ法;具体直拉方法;1、Cz法单晶炉;2、CZ法工艺流程;籽晶的作用 ;缩颈的作用;提拉速度控制;直拉法生长单晶硅，坩埚污染影响大： 氧的引入：SiO2→Si+O2 多采用液相掺杂，受杂质分凝、杂质蒸发影响掺杂浓度的均匀性较差。 纵向 考虑杂质分凝 横向 温度场 ;CZ法熔料中环流形成;第二次课问题：; 2.2.2 单晶生长原理;1、结晶的热力学条件;2、结晶动力学;最大提拉速度;2.2.3 晶体掺杂;掺杂方式方法：; 液相掺杂是直接在坩埚内加入杂质元素或将杂质制作为硅的合金再加入。在计算杂质计量时必须考虑杂质的分凝和蒸发。 分凝现象：对于固-液界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的平衡浓度是不同的； 分凝系数k：对杂质分凝作用的大小描述，定义为杂质在固相中的溶解度与杂质在液相中的溶解度之比： k=Cs/Cl ;蒸发现象：是指坩埚中熔体内的杂质从熔体表面蒸发到气相中的现象； 蒸发常数E：是用来表征杂质蒸发难易的参数。 N=EACl N:气相杂质浓度，A:液相面积;硅中常见杂质的k和e;分凝现象对杂质分布均匀性影响;举例:;母合金掺杂;2、气相掺杂;3、中子辐照（NTD）掺杂;中子辐照掺杂特点;2.2.4 磁控直拉法（MCZ法） ;磁场方向;MCZ法拉制Si棒照片;2.2.5 悬浮区熔法（FZ法） ;三种方法比较;2.3 硅片制造;定晶向;切片，倒角，抛光;硅片规格及用途 ;二极管级单晶硅片技术参数（隆基硅产业集团产品规格）;第三次课问题：