微电子技术应用基础 第四章 集成电路基础.ppt

第四章 集成电路基础 第一节 双极型集成电路  第二节 MOS集成电路  5　MOS电路版图设计概述 　（１）版图基本概念 　设计版图就是要设计各种光刻掩模层的几何图形 　(2) 版图设计规则 　有两种常用的设计规则描述方式：微米设计规则和λ设计规则。 　(3) 版图设计实例 二输入与非门版图设计实例 图 二输入或非门版图设计实例 图 动态锁存器逻辑图和版图 图 返回 ( a) BC短路(b) EC短路(c) BE短路(d) C开路(e) E开路(f) 单BC结 返回 返回 返回 返回 (a) 单基极NPN型晶体管（b) 双基极NPN型晶体管；(c) 基极和集电极是马蹄形结构的NPN型晶体管；(d) 发射极和集电极是马蹄形结构的NPN型晶体管；(e) 双发射极双集电极NPN型晶体管；(f) 双基极双集电极NPN型晶体管(g) 多发射极梳状结构NPN型晶体管； (h) 基极集电极短路二极管 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a) 五个晶体管单元与非门电路54H/74H系列； (b) 六个晶体管单元与非门电路 返回 返回 * * 第一节 双极型集成电路 1 双极型集成电路中的无源元件  集成电路中的无源元件有电阻、电容和电感。 优点：可以实现大规模集成，集成无源元件相互间的匹配性能和温度跟踪性好。 缺点：精度低，绝对误差大；可制作的数值范围有限；温度系数较大；占用芯片面积大，成本高。  集成电阻 最常用的是基区扩散电阻和基区沟道电阻。 ① 基区扩散电阻。 a 基区扩散电阻的结构。这类电阻是利用集成晶体管的基区扩散层制作的，所以叫做基区扩散电阻。 基区扩散电阻结构示意图 图 b基区扩散电阻的设计 c基区电阻的误差。 d基区扩散电阻的功率限制。 e基区扩散电阻器的设计原则 ② 其他集成电阻。 a发射区扩散电阻(磷扩电阻)。 发射区扩散电阻有两种结构，一种是直接制作在外延层上 。另一种结构是与其他电阻制作在同一隔离区。 磷扩散电阻“磷桥” 图 磷扩电阻和其他电阻制作于同一隔离区时横截面图 图 b 隐埋层电阻。 隐埋层电阻的结构与应用 图 c 基区沟道电阻 基区沟道电阻的图形结构 图 d 外延层体电阻 外延层体电阻的图形结构 图 e 离子注入电阻 离子注入电阻的图形结构 图 f 薄膜电阻 (2) 集成电容 集成电路中常用的电容有两类：反向偏置PN结电容和MOS电容。 MOS电容结构示意图 图 2集成电路中的有源器件 集成电路中的PNP型晶体管 集成电路中常用PNP型晶体管主要有两大类： 横向PNP型晶体管和衬底PNP型晶体管。 ① 横向PNP型晶体管。 a横向PNP型晶体管的结构 图 b横向PNP型晶体管的寄生效应 c 横向PNP型晶体管的特点 电流增益β小，特征频率f T 低，临界电流I Cr 小，击穿电压高。 d 多集电极横向PNP型晶体管。 多集电极横向PNP型晶体管 图 ② 衬底 PNP 型晶体管。 a 衬底 PNP 型晶体管的结构 图 b 衬底 PNP 型晶体管的特点 ③ 自由集电极纵向PNP型晶体管 自由集电极纵向PNP管的结构 图 此结构的特点如下所述。 优点：截止频率高，增益大，大电流特性好，最主要的优点是集电极可以任意连接。 缺点：工艺复杂，因为有效基区宽度由外延层厚度、结深和埋层上推距离决定，很难精确控制；工艺步骤多；版图尺寸增大。 (2) 超增益NPN型晶体管  超增益NPN型晶体管是指β大于1000的晶体管。 制造超增益晶体管的截面图 图 (3) 集成二极管 ① 一般集成二极管。 各种集成二极管 图 ② 集成齐纳二极管及次表面齐纳管。 a集成齐纳二极管 它的缺点是：具有较大的正温度系数，热稳定性较差。一般dUz/dT≈+(2～4) mV/℃。 由于内阻较大，它两端的电压UZ随电源电压和负载电流的变化而变化。 它的击穿主要发生在硅表面，易受各种表面效应的影响，因此在工艺上UZ值的精确控制较困难，离散性大，稳定性较差。 b 次表面(隐埋)齐纳二极管。 次表面齐纳二极管结构示意图 图 离子注入次表面齐纳二极管结构示意图 图 3 双极型集成电路的版图设计 版图的设计流程 版图设计的流程框图 图 (2) 版图设计的基本尺寸 (3) 隔离区的划分 隔离区划分原则 (4) 版图的图形设计 ① 电阻的设计。 ② 晶体管的设计 a 一般晶体管的设计步骤 b最小面积晶体管 c