薄膜技术与材料-第二章.pptVIP

第二章 真空蒸发 一．定义：真空蒸发镀膜(蒸镀)是在真空条件下，加热蒸发物质使之气化并淀积在基片表面形成固体薄膜。 二．真空蒸发的物理过程： 1.采用各种形式的热能转换方式，使镀膜材料粒子蒸发或升华，成为具有一定能量的气态粒子(原子，分子，原子团，0 .1 ? 0.3 eV)； 2.气态粒子通过基本上无碰撞的直线运动方式传输到基体； 3.粒子淀积在基体表面上并凝聚成薄膜； 4.组成薄膜的原子重新排列或化学键合发生变化。 §1.蒸发热力学 一. 元素的平衡蒸汽压 克劳修斯－克莱普朗方程： 则有 lnp ∽ T 曲线 lnp ∽ T 曲线 说明: 1) 平衡蒸汽压为1 Pa时的温度即蒸发所需的温 度; 2) 温度变化10%，平衡蒸汽压变化大约一个数 量级; 3) 蒸发温度高于熔点，液体 ~ 蒸汽 蒸发温度低于熔点，固体 ~ 蒸汽，升华 二. 蒸发速率 三. 合金的蒸发 由两种或两种以上组元组成的合金在蒸发时遵 守以下定律： 1) 分压定律：合金溶液总蒸汽压等于各组元蒸汽分压之和。即 P = P1 + P2 + P3 +…… + Pi 2) 拉乌尔定律：理想的合金溶液中，各组元的平衡蒸汽压 Pi与其摩尔分数xi成正比，其比例常数就是同温度下该组元单独存在时的平衡蒸气压。 Pi = PioXi 总蒸汽压 3) 分馏问题 四．化合物蒸发 大多数化合物蒸发时会全部分解或部分分解，所以难以镀制出组分符合化学比的镀层。 化合物 MX 的蒸发可分类如下： 1) 化合物本分解 MX (S) → MX (g) 例: MgF(s) →MgF(g) 2) 蒸发分解 MX (s) →M (g) +Xn (g) 例： CdTe(S)→Cd(g)+Te2(g) 3) 蒸发部分分解 MXn(S) →MX(g) + Xn-1(g) 例: SiO2(S)→SiO(g) +O2(g) 4) 部分蒸发 MX(s) → M(S) + X n (g) 例：BN(S)→B(S)+N2(g) 直接蒸发化合物镀料制备化合物薄膜的例子: SiO, GeO, SnO, AlN, CaF2, MgF2, B2O3 §2.蒸发动力学 一. 蒸发粒子的行程 散射粒子数 关系曲线 二．薄膜的纯度 Ci Ci定义：在1cm2表面上每秒钟剩余气体分子碰撞的数目与蒸发淀积粒子数目之比。 每秒钟蒸发淀积在1cm2基片表面的粒子数用膜厚淀积速率Rd表示 表1 室温下沉积 Sb 膜中的最大氧含量 三. 蒸发源的发射特性 蒸发过程的假设： 1) 忽略蒸发原子与剩余气体和蒸发原子之间的 碰撞。 2) 蒸发源的发射特性不随时间而变化。 3) 入射到基片上的原子全部凝结成薄膜。 1) 点蒸发源 蒸发总质量 由下列二重积分给出: 下图表示与蒸发源平行放置于正上方的平面基片 薄膜厚度： 2．面蒸发源 其蒸气发射特性具有方向性，发射限为半球。蒸 发源的发射按所研究的方向与表面法线间夹角呈 余弦分布，即遵守克努曾定律 当 n=1时 面源： 提高膜厚均匀性的措施： 1) 采用若干分离的小面积蒸发源，最佳的数量， 合理的布局和蒸发速率； 2) 基片设置 a) 球面放置基片； b) 基片平面旋转； c) 行星旋转基片架； 3. 点源、面源蒸发材料与膜厚的关系 点源：从各个方向蒸发等量的材料。 蒸发材料的总量为m1，入射在一小的接收平面dS2上材料量dm2相当于通过立体角dΩ的材料总量。 由于 对平面源，发射限为半圆形、半球形 §3.真空蒸法装置 一．电阻式加热装置 蒸发(膜)材料和蒸发源材料对蒸发源材料 的要求: 熔点高，平衡蒸汽 压低，化学性能稳定 常用的蒸发源材料: W, Mo, Ta, SS …… 二. 电子束加热装置 三. 激光加热装置 介绍第三种薄膜材料 PbTiO3 Schematic diagram of pulsed laser deposition system Deposition conditions and variables for the preparation of epitaxial PbTiO3 thin films X-ray diffraction patterns of PbTiO3 films deposited at 650°C on MgO(001) substrate at