第十一讲异质结FET——普通HJFETHFET的最后问题耗尽.PDFVIP

第十一讲 异质结FET——普通HJFET ，HFET l 第十讲的最后问题： 耗尽型和增强型FET 逻辑 互补FET 逻辑 （还未出现，或将要很快出现） 为什么至今只用GaAs l MESFET 加工的回顾 器件的关键部分；工艺难题 加工顺序的系统回顾 使用异质结构的机会 l 在FET 中使用异质结构的一般原则 一般目标 特殊应用 改进基底的隔离 改进栅极特性 改进沟道电导 l HFET——掺杂沟道HJFET 基本结构 使用假晶层（pseudomorphic layers ）改进器件 应变沟道 应变栅极 逻辑门——耗尽型和增强型FET 耗尽型FET 当VGS=0 时，没有沟道；VP0 时是V；这与我们熟悉的金属氧化物半导体场效 应 （MOSFET ）相同。 增强型FET 当VGS=0 时，沟道开启；VP0 时是V；是金属半导体场效应 （MESFET ）和结 型半导体场效应JFET 中的普通情况。 控制VP 是关于MESFET 的头号问题 逻辑门——耗尽型FET 的问题 使用增强型 开关的反相器 使用耗尽型 开关的反相器 反相器，但是电平是不一致的，我们需要增加电平转换器 逻辑门——使用耗尽型FET 在输出端增加电平转换器 注意：电平转换器也可以安放在输入端 FET 的制造问题 所有FET 的主要问题： ——沟道 ——源极和漏极的欧姆接触 ——栅极 ——器件绝缘 ——封装 MESFET 的特殊问题： ——半绝缘衬底 ——肖特基势垒栅 ——阀值控制 ——栅极电阻 ——源极和漏极的串联电阻 MESFET 特殊问题的进一步讨论 半绝缘衬底： ——如果工艺处理适当，可以有效消除逆栅极效应 肖特基势垒栅： ——有限的沟道掺杂 ——仅有p 型和n 型沟道选择 ——沟道的有限开启 阀值控制： ——所有FET 的问题 ——是a，Φb ，NDn 的函数 ——表面状态及它们的控制是Ⅲ‐Ⅴ族元素化合物的特殊问题 MESFET 特殊问题的进一步讨论（续） 栅极电阻 ——短沟道长度器件和高频状态下的重要问题 源极和漏极的串联电阻 ——表面耗尽使其加重 ——对耗尽型的问题特别严重 寄生串联电阻的影响： 减小的增益和带宽 源极和漏极的串联电阻在任何频率下都减小增益 栅极串联电阻的影响在高频状态下出现，并且减小的增益和带宽 MESFET 制造——掺杂外延层的平台技术 A，起始外延层晶片： B，平台蚀刻 C，栅极和欧姆连接金属 器件之间的绝缘是通过平台蚀刻实现的。问题是缺少平面度。 MESFET 制造——质子轰击隔离 H+离子的注入会使普通掺杂的GaAs 有更高的电阻 A，起始外延层晶片： B，处理后的器件 提供良好的绝缘性，并产生平面结构。 高