微小等离子体反应器的导出机理研究-物探与化探.pdfVIP

第 31 卷 第 1 期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Vol.31, No.1 2 0 1 1 年 3 月 Nuclear Fusion and Plasma Physics March 2011 文章编号：0254−6086(2011)01−0091−06 微小等离子体反应器的导出机理研究 1, 2 1, 2 3 王 海 ，童云华 ，文 莉 (1. 安徽工程大学机械与汽车工程学院，芜湖 241000 ；2. 安徽省先进数控和伺服驱动技术重点实验室，芜湖 241000 ； 3. 中国科学技术大学精密机械与精密仪器系，合肥 230027) 摘 要：提出了一种通过空心阴极底部的微孔及外加偏置电场的方法实现微小等离子体导出的机制，并采用 二维流体模型对其进行了数值仿真研究。当工作气体为 SF6 、工作气压为 2~9kPa 、微孔半径为 0.25μm 时，F 原子 最大束流密度在(1.53~5.62)×1014cm−3·s−1 之间，SF5+最大束流密度在(2.46~7.83)×1016cm−3·s−1 之间。工作气压为 5kPa 时，样品表面处 F 的平均能量为 3.82eV ，散射角在−14º~14º 之间；SF5+ 的平均能量为 25eV ，散射角为−13º~14º。 当偏置电压在 10~50V 之间变化时，SF5+平均能量在 52~58eV 之间变化。上述 F 、SF5+密度满足硅基底材料的有 效刻蚀需要，验证了扫描刻蚀加工的可行性。 关键词：扫描等离子体刻蚀加工；微小等离子体反应器；导出机制 中图分类号：O53 文献标识码：A 1 引言 等离子体模型对微小等离子体的导出机制进行了 等离子体刻蚀广泛应用于半导体加工工艺中 数值仿真和分析。 对等离子体装置进行微型化[1~3] ，有利于简化设备， 降低成本。Wilson[4]采用图形化的电极结构，在硅 2 微小等离子体发生器 表 面 实 现 了 局 域 化 刻 蚀 ， 刻 蚀 速 率 达 到 6~ 图 1 为扫描等离子体加工用悬臂梁探针的结构 17μm·min −1 ，图形化精度约 10μm ，其缺点是采用 示意图。该结构包括集成微小等离子体反应器的悬 一次性电极，不可重复使用。Sankaran 等[5]利用规 臂梁和带有亚微米尺度微孔的微探针。将扫描探针 则图形化的微电极装置，贴合硅片表面进行高速刻 和样品置于适当压力反应气体氛围中，在等离子体 蚀，但刻蚀图形结构受电极形状限制，适用性不强。 发生器的微电极间加载直流驱动电压，在电场作用 扫描探针作为一种无掩膜的纳米加工技术，因 下产生的局域反应等离子体经探针的微孔引出至样 其所需设备简单且加工精度达纳米量级，正受到广 品表面，从而实现样品表面微区域的反应离子刻蚀。 泛的关注[6~8] 。在前期研究过程中，笔者提出了一 该微小等离子体发生器为金属/聚酰亚胺/金属 种基于并行探针驱动的扫描等离子体加工新方法， 三明治结构，电极间距约为 10μm ，空心阴极开口 通过在并行探针上集成微小等离子体发生器实现 直径为 100μm ，采用 SF6 作为反应气体实现硅的扫 无掩膜的扫描加工。扫描刻蚀加工系统作为一种无 描刻蚀。空心阴极(图 1 中的微喷嘴)处亚微米尺度 掩膜加工技术，集成了扫描探针加工技术的高分辨 的微孔可实现等离子体的导出。本文拟通过数值仿 率和等离子体加工适用范围广的优点。刻蚀